第九章X射线光电子能谱试卷.ppt

* 半球型分析器 现在主要采用的半球型分析器是由两个同心半球构成，内、外半球分别加上正、负电压。半球两端各有狭缝，能量不同的电子进入狭缝穿过能量分析器的电场时被色散，能量相同但方向不同的电子在出口狭缝处聚焦。当在分析器半球型极板上施加扫描电压时，能量不同的电子将依次通过出口狭缝到达探测器，从而获得电子能谱图。为提高检测灵敏度在入口狭缝前常加有静电透镜。 筒镜形电子能量分析器 筒镜分析器示意图 筒镜分析器 由两个同轴圆筒组成，外筒加负电压，内筒接地，在空心内筒圆周上有入口和出口狭缝。自两圆筒公共轴线上“源”点发射的电子以一定角度穿过入口狭缝，受内、外筒之间径向场作用，相同能量的电子穿出出口狭缝聚焦于轴线上检测狭缝处，然后进入探测器。 4 检测器 检测器通常为单通道电子倍增器和多通道倍增器 光电子或俄歇电子流 倍增器 通道电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面（管状通道内壁涂一层高阻抗材料的薄膜）静电器件。内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增，增益可达 109 。 多通道检测器是由多个微型单通道电子倍增器组合在一起而制成的一种大面积检测器，也称位敏检测器（PSD）或多阵列检测器。 5 电荷中和枪 常用低能电子枪或其他电荷中和器，用以抵消绝缘样品表面荷电效应。 6 离子枪 常用惰性气体（如Ar）离子枪，用以清洁样品表面或进行深度剖面分析的刻蚀。 7 快速进样室 目的是在不破坏分析室超高真空的情况下能进行快速进样。快速进样室的体积很小，以便能在5～10分钟内能达到10-3 Pa的高真空。有一些谱仪，把快速进样室设计成样品预处理室，可以对样品进行加热，蒸镀和刻蚀等操作。 8 离子源 目的是对样品表面进行清洁或对样品表面进行定量剥离。在XPS谱仪中，常采用Ar离子源。Ar离子源又可分为固定式和扫描式。固定式Ar离子源由于不能进行扫描剥离，对样品表面刻蚀的均匀性较差，仅用作表面清洁。对于进行深度分析用的离子源，应采用扫描式Ar离子源。 §6 样品的制备技术 在通常情况下只能对固体样品进行分析。 1 样品的大小 块状样品和薄膜样品，其长宽最好小于10mm, 高度小于5 mm。 2 粉体样品 有两种常用的制样方法。一种是用双面胶带直接把粉体固定在样品台上，另一种是把粉体样品压成薄片，然后再固定在样品台上。前者的优点是制样方便，样品用量少，预抽到高真空的时间较短，缺点是可能会引进胶带的成分。后者的优点是可以在真空中对样品进行处理，如加热，表面反应等，其信号强度也要比胶带法高得多。缺点是样品用量太大，抽到超高真空的时间太长。在普通的实验过程中，一般采用胶带法制样。 3 含有有挥发性物质的样品 在样品进入真空系统前必须清除掉挥发性物质。一般可以通过对样品加热或用溶剂清洗等方法。 4 表面有污染的样品 在进入真空系统前必须用油溶性溶剂如环己烷，丙酮等清洗掉样品表面的油污。最后再用乙醇清洗掉有机溶剂，为了保证样品表面不被氧化，一般采用自然干燥。 5带有微弱磁性的样品 当样品具有磁性时，由样品表面出射的光电子就会在磁场的作用下偏离接收角，最后不能到达分析器，因此，得不到正确的XPS谱。此外，当样品的磁性很强时，还有可能使分析器头及样品架磁化的危险，因此，绝对禁止带有磁性的样品进入分析室。一般对于具有弱磁性的样品，可以通过退磁的方法去掉样品的微弱磁性，然后就可以象正常样品一样分析。 样品荷电的校准 对于绝缘体样品或导电性能不好的样品，经X射线辐照后，其表面会产生一定的电荷积累，主要是荷正电荷。样品表面荷电相当于给从表面出射的自由的光电子增加了一定的额外电压, 使得测得的结合能比正常的要高。样品荷电问题非常复杂，一般难以用某一种方法彻底消除。在实际的XPS分析中，一般采用内标法进行校准。最常用的方法是用真空系统中最常见的有机污染碳的C 1s的结合能为284.6 eV，进行校准。 另外，还有外标法，离子中和法等。 XPS的采样深度 X射线光电子能谱的采样深度与光电子的能量和材料的性质有关。一般定义X射线光电子能谱的采样深度为光电子平均自由程的3倍。根据平均自由程的数据可以大致估计各种材料的采样深度。一般对于金属样品为0.5 ～2 nm, 对于无机化合物为1 ～3 nm, 而对于有机物则为3 ～10 nm。 §7 XPS谱图分析技术 1.表面元素定性分析 这是一种常规分析方法，一般利用XPS谱仪的宽扫描程序。为了提高定性分析的灵敏度，一般应加大分析器的通能（Pass energy），