多层电路板的深层充电研究.PDF

中国科学: 技术科学 2015 年 第45 卷 第3 期: 1 ~ 8 《中国科学》杂志社 论 文 SCIENCE CHINA PRESS 多层电路板的深层充电研究 * 王建昭, 陈鸿飞, 于向前, 邹鸿, 施伟红 北京大学空间物理与应用技术研究所, 北京 100871 * E-mail: fhchen@ 收稿日期: 2014-03-27; 接受日期: 2014-07-05 国家自然科学基金(批准号:和国家重大科学仪器专项(批准号: 2012Y资助项目 摘要 以欧空局的FLUMIC2 模型为输入电子能谱, 基于Monte Carlo 方法和辐射诱导电 关键词 导率模型进行多层电路板充电分析, 可模拟地球同步轨道上有2 mm 铝层屏蔽时的多层FR4 深层充电 印刷电路板的深层充电过程, 得到电场和电势随介质深度的变化. 研究发现与双面接地电 辐射诱导电导率 Geant4 路板相比较, 电路板四层铺铜接地内部最大充电电场减少 54%, 有效地减小介质内部电场, Monte Carlo 方法 降低深层放电风险. 充电时间常数和电介质的物理特性有关而与电路板分层情况无关. 分 地球同步轨道 析各接地层的电流, 两层电路板为90~150 pA m2, 四层电路板为10~100 pA m2. 1 引言 人们在实验和理论分析基础上, 建立了一些深 层充放电的分析工具, 其中较为流行的是欧空局 空间高能粒子辐射对航天器安全有重要影响, (ESA) 的 DICTAT[1] 和美国航空航天局 (NASA) 的 包括总剂量效应、单粒子效应和充放电效应. 其中充 NUMIT[2]. 数值模拟作为一种低成本、高效的方法可 放电效应尤其是深层充电是造成航天器故障的重要 以预测材料的充放电行为, 为研究充放电过程、建立 原因之一, 成为人们关注的热点. 深层充电是指空间 分析工具提供重要定量依据. 国内研究机构也进行 高能粒子(主要是 0.1~10 MeV 的电子)穿透卫星表面, 了大量研究, 秦晓刚等人[3]基于 Monte Carlo 方法的 沉积在介质材料内并建立电场的过程. 电场的形成 模拟说明在单能电子辐照下, Teflon 介质背面接地时 是动态过程, 一方面, 电子与介质相互作用, 发生轫 7 1 最大电场达到 10 V m , 远高于正面接地的最大电 致辐射、电离和多重散射等物理过程并沉积. 另一方 场(106 1 [4] V m ). 黄建国和陈东 的计算结果表明双层 面, 由于介质的电导率影响, 在电场作用下沉积电子 接地时充电电场