（110）和（002）择优取向ZnO薄膜的制备及光学性能研究.pdfVIP

第 26卷第 1期 北 方 工 业 大 学 学 报 Vo1．26NO．1 2014年 3月 J．NORTH CHINA UNIV．OFTECH． M ar．2014 (110)和 (002)择优取 向 ZnO薄膜的制备及光学性能研究* 苏德志 赵全亮 李中翔 (北方工业大学机 电工程学院，100144，北京) 摘 要 运用射频溅射法在 si和 LaNiO。／Si衬底上分别制备了高度 (002)和(110)取向的 ZnO薄膜．通过 x射线衍射(xRD)和扫描 电子显微镜 (SEM)表征，发现 ZnO／LaNi0s／si薄膜 的 (1lO)取 向度高达 96Voo，ZnO／Si薄膜为(002)择优取 向，两种薄膜表面均致密平整 ，晶粒尺寸小 于 80nm．光致发光结果表明，zn0／LaNi0。／Si薄膜的光致发光峰主要为带边发射 的紫外光 ，而 zn0／si薄膜的光致发光峰主要为过量氧导致 的缺陷引起的缺陷发光峰．因此 ，采用 LaNiO。薄 膜作为 ZnO在 si衬底上生长的过渡层 ，能够有效抑制缺陷发光 ，改善 ZnO薄膜 的发光性能． 关键词 氧化锌薄膜 ；择优取 向；射频溅射 ；光学性能 分类号 TB34 氧化锌 (ZnO)是一种六方纤锌矿结构 的直 面积生长 ZnO薄膜 ，并且不能与 si基衬底大 接带隙半导体材料，室温下具有宽禁带(3．3eV) 规模集成，这些缺点限制了非极性 ZnO薄膜在 和高激子结合能 (60meV)．与传统半导体材料 光电器件中的实际应用． 氮化镓 (GaN)相 比，ZnO 的价格便宜，原材料 镍酸镧 (LaNiO。，LNO)是一种具有赝立方 来源丰富，无毒而且化学性质稳定．因此 ，ZnO 钙钛矿结构 (a 。一3．84A)的金属氧化物 ，它 受到广泛关注 ，并被认为在紫外发射探测器、表 与 Si(100)晶面有十分接近的晶格常数(√2乱 o 面声波和光电器件的研究 中具有重要的应用价 —as。一5．43A)，故 LNO很容易在 Si衬底上实现 值口]．近年来 ，人们制备和研究的大多是沿 C 取向生长．图1是 ZnO(110)、LNO(100)和 Si(100) 轴 (002)取向生长 的ZnO薄膜 ，但由于 Zn离子 晶面的匹配示意图．可以看出，ZnO(110)晶面 的 和O离子在晶体中的不对称性，将会因极化的内 晶格常数为 √3azo一5．63A、C。一5．2A与 建电场而产生量子 限域，即斯塔克效应 (Quan— LNO(100)晶面的晶格常数√2Ⅱ。一5．43A非 turnconfinedStarkeffect)，使 ZnO薄膜 的光 常接近 ，分别 只相差 3．68 、4．24 ．一个 学跃迁产生红移并降低发光性能．而 (110)取 向 znO(1lO)晶面单元将与 4个 LNO(1O0)晶面单 ZnO薄膜因其离子对称结构呈现非极性 ，则具 元的对角线相匹配，相邻 Zn原子之间夹角分别 有更好的光学性能_9]．目前，国内外学者已经在 为85．5。和 94．5。．因此，以LNO作为过渡缓冲 SrTiO~lo-141、MgO[]、LaA10~ 和 SapphireE17-18] 层，可以在 Si衬底上实现非极性 (110)ZnO薄膜 等单晶衬底上成功制备了(110)取向的非极性 的生长，但 目前还未发现在 LNO／Si衬底上制 ZnO薄膜．然而 ，单晶衬底价格 昂贵，不利于大 备 ZnO薄膜的报道．本文通过射频 (RF)磁控 收稿 日期 ：2013-04—10 北京市 自然