（Bi（0.88）Ce（0.12））2Ti2O7薄膜的结构及C-V特性.pdfVIP

第33卷第3期 压 电 与 声 光 VoL33No．3 2011年6月 PIEZ0ELECTRICS AC0USTOOPTtCS Jun．2011 文章 编号：1004—2474(2011)03—0448—04 (Bi0．88Ce0．2)2Ti2o7薄膜的结构及 C-V特性 荆象阳 ，侯仰博。，张晓阳。，秦晓燕。，张 寅 (1．山东电力研究院，山东 济南 250002；2．山东省特种设备检验研究院菏泽分院，山东 菏泽 274000； 3．山东大学 晶体材料研究所 国家重点实验室 ，山东 济南 250100；4．齐鲁师范学院 物理科学与技术系．山东 济南 250013) 摘 要：采用化学溶液分解法 (CSD)在 P型 Si100衬底上制备 了(Bi Ce。．)Ti。O 薄膜 ，分别借助 X线 光电子能谱仪、紫外一可见分光光度计研究了薄膜的化学特性、紫外一可见吸收光谱等结构性能。结果表 明，在烧绿 石相 B T 0 薄膜 中掺杂 Ce”取代部分 后 ，薄膜在高温退火下仍能保持原有的相结构。利用 HP4192A型阻 抗分析仪测试薄膜的电容一电压 (C-V)特性 ，计算 出600℃、650℃、700℃、750C退火条件下薄膜 的介 电常数分别 为 144、190、2l4、176，固定 电荷密度值分别 为 3．44×10”em～、5．82×10“cm一 、5．58×10“em_”和 2．49× 10 。cm 。 关键词 ：薄膜 ；介 电常数 ；退火温度 ；x线衍射 ；能隙 中图分类号：TB43 文献标识码 ：A StructureandC-VPropertiesof(Bio．88Ce0．12)2Ti2O7ThinFilms JING Xiangyang，HoUYangbo。，ZHANGXiaoyang。，QINXiaoyan。，ZHANG Yin (1_ShandongElectricPowerResearchInstitute，Jinan250002，China；2．HezeBranchInstituteofShandongSpecial EquipmentInspectionInstitute，Heze274000，China；3．StateKeyLab．ofCrystalMaterialInstitute，Jinan250100，China； 4．Dept．ofPhysicalScienceandTechnology，QiluNormalUniversity，Jinan250013，China) Abstract：The(Bi。88Ceol2)2Ti2O7thinfilmsweregrownonthePSi 100 substratebythechemicalsolution decomposition (CSD)method．ThestructuralcharacteristicsincludingthechemicalpropertiesandUV VlSabsorp— tionspectrawerestudiedbyXPSandUV—VISspectrophotometer。respectively．Theresultshowedthattheoriginal phasestructurewasmaintained evenathighannealing temperaturesontheconditionthatBi。 ionswerepartlysub— stitutedwithCe” ions．Thecapacitance-voltage(C-V)propertiesweremeasuredbyHP4194A impedanceanalyzer． Thecalculateddielectricconstantsofthefilm were144．19O．214and176respectivelyatt