电子和γ 射线辐照损伤与抗核加固机理研究STUDY ON RADIATION .PDF

CNIC-01514 CAEP-0064 电子和 γγ 射线辐照损伤与抗核加固机理研究 γγ STUDY ON RADIATION DAMAGE OF ELECTRON AND γγ -RAYS AND MECHANISM OF γγ NUCLEAR HARDENING (In Chinese) 中 国 核 情 报 中 心 China Nuclear Information Centre CNIC-01514 CAEP-0064 电子与 γ 射线辐照损伤与 抗核加固机理研究 景 涛 （中国工程物理研究院，成都，610003 ） 摘 要 介绍了电子和 γ 射线的辐照损伤效应，并在实验中研究了损 伤缺陷。在此基础上进行了抗核加固机理和加固技术研究。 1 Study on Radiation Damage of Electron and γ -rays and Mechanism of Nuclear Hardening (In Chinese) JING Tao (China Academy of Engineering and Physics, Chengdu, 610003) ABSTRACT Radiation damage effects of electrons and γ-rays are presented. The damage defects are studied by experimental methods. On the basis of these studies the damage mechanism and nuclear hardening techniques are studied. 2 引 言 电子和 γ 射线对半导体材料辐照，使之产生损伤缺陷，这种辐照效应对于半导体元 器件将引起不同程度的损伤，影响器件的电学性能，从而造成电子系统的功能衰退，甚 至完全被破坏。然而当人们认识到电子和 γ 射线辐照半导体材料能产生缺陷能级的特性 时，就充分利用这种特性对半导体材料进行辐照改性，从工艺上改进半导体的性能。例 如中子嬗变掺杂 (neutron transmutation doping ，NTD) 技术，就是用热中子辐照高纯P 型 硅单晶 ( 电阻率几十至几百kΩ/cm 之间) 。通过核反应把磷元素掺杂进去，从而获得高阻 N 型硅单晶。吸附技术中，在器件衬底中通过辐照引入位移损伤缺陷，能够吸附灵敏区 内的活性缺陷或者杂质，减少灵敏区中的缺陷，使其更加完善。本工作则研究电子和γ 射 线辐照引入深能级缺陷，降低少子寿命，利用这种特性可以改善器件的恢复时间。适当 地掌握辐照条件可以达到控制少子寿命的目的，减小器件寿命可以提高抗位移辐照损伤 的能力。 首先我们把几种不同型号的硅材料经过电子或 γ 射线的辐照，形成位移损伤缺陷， 利用深能级瞬态谱仪（deep level transient spectroscopy，DLTS ）方法，分析辐照引入的缺 陷性