第一性原理计算研究立方氮化硼空位的电学和光学特性-物理学报.PDF

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 7 (2013) 074201 第一性原理计算研究立方氮化硼空位的 电学和光学特性* 1 1 1 2 2† 李宇波 王骁 戴庭舸 袁广中 杨杭生 1) ( 浙江大学信息与电子工程学系, 微电子与光电子研究所, 杭州 310027 ) 2) ( 浙江大学材料科学与工程学系, 硅材料国家重点实验室, 杭州 310027 ) ( 2012 年11 月13 日收到; 2012 年11 月26 日收到修改稿) 对立方氮化硼的空位进行了基于密度泛函理论框架下的第一性原理平面波超软赝势方法的研究. 通过对总能 量、能带结构、态密度及电子密度分布图的分析发现, B 空位相比起N 空位更加稳定. 并且空位仅影响最近邻原子 的电子分布, 空位浓度的增加使禁带宽度逐渐变窄. 从复介电函数和光学吸收谱分析中发现, 随着空位浓度的增加, 立方氮化硼在深紫外区的吸收逐渐减弱. 并且B 空位还导致在可见光区域出现明显的吸收带. 关键词: 立方氮化硼, 空位, 第一性原理, 电光学特性 PACS: 42.25.Bs, 71.15.Mb, 71.55.Eq, 71.15.Nc DOI: 10.7498/aps.62.074201 等III-V 族半导体中光学性质与电子空穴复合和态 12 1 引言 密度分布有着密切的联系 . Rohlfing 等人研究也 13 显示cBN 的电子结构和材料光学性质相关 . 基 立方氮化硼 (cBN) 在所有的III-V 族元素中 于cBN 光电子器件的需求背景, 空位引起的光学性 有着最宽的禁带(6.2—6.4 eV), 同时又具有超高硬 质改变是我们不得不面对的问题, 但是很少有涉及 度、化学惰性和优异的热稳定性1−3 , 能够进行简 空位对光学性质影响的研究的报道. 本文采用基于 单的p 型(Be 掺杂) 和n 型(S 或Si 掺杂) 掺杂. 使 14 密度泛函理论的平面波赝势方法 , 系统计算了 cBN 在超硬刀具、高功率晶体管和光电子器件方 空位对cBN 的电子结构和光学性质的影响. 结果表 面极具应用前景4−6 . 明空位的引入, 不仅改变态密度分布, 在禁带中引 理想的cBN 晶体中的B 和N 原子比为1:1, 然 入能级, 同时也改变光学吸收谱和介电常数等光学 而, 晶体的品质在很大程度上取决于制备条件, 尤 性质, B 空位还导致cBN 在可见光区域出现明显的 其是采用气相沉积技术制备cBN 薄膜时, 无一例外 吸收带. 地采用高能离子的轰击, 因此不可避免地引入空位 等缺陷 7−9 . 很多学者对cBN 中的空位进行了研 究: Gubanov 等人利用LMTO 法和LA