锗晶体中掺人杂质原子.PPT

第一节 点缺陷 2．点缺陷的克留格—乌因克(Kr6ger—Vink)符号表示法 其中缺陷的名称用以下各种符号表示 空位缺陷——用V表示； 杂质缺陷——用该杂质的元素符号表示； 电子缺陷——用e表示； 空穴缺陷——用h表示。 字母 i 表示缺陷处在晶体点阵结构的间隙位置上 有效电荷 缺陷及其周围的总电荷减去理想晶体中同一区域处的电荷后所得的电荷. NaCl化合物晶体 空位缺陷： 置换缺陷 举例 Ca2+进入NaCl晶体中 Ca2+取代了ZrO2晶体中的Zr4+ 对于电子缺陷，若电子并不局域在特定的原子位置上，即所谓的准自由电子，可以用e′来表示，对于不局域在特定的原子位置上的准自由空穴用h·表示 AgBr离子晶体，若银离子形成间隙离子 如NaCl离子晶体，形成肖特基缺陷, 3．缺陷化学反应表示法 遵守一些基本原则： (i) 位置关系 (ii)位置增殖 (iii)质量平衡 (iv)电荷平衡 (i) 位置关系 在化合物MaXb中，M位置的数目必须与X位置的数目保持确定的比例关系(化学计量比)。如果在实际晶体中，M与X的比例，不符合原有的位置比例关系，就表明晶体中存在缺陷。 位置增殖 当引入或消除空位时，相当于增加或减少M的点阵位置数。但发生这种变化时，要服从位置关系。 能引起位置增殖的缺陷有：VM、Vx、MM、Mx、XM、XX等。不发生位置增殖的缺陷有：e’，h?、Mi、Xi等。 (iii)质量平衡 与化学反应一样，缺陷方程的两边必须保持质量平衡。 (a)肖特基缺陷 单质晶体M形成肖特基缺陷的缺陷方程 ： (b)弗兰克尔缺陷 晶体M形成弗兰克尔缺陷的缺陷方程为： (d) MgO溶解到A12O3晶格中 4 点缺陷与电子—空穴对 缺陷的存在破坏了晶体点阵结构的周期性，点缺陷周围的电子能级也不同于正常晶格点阵中原子处的能级，可在晶体的禁带中造成能量高低不等的各种局域能级。 (1)锗晶体中掺人杂质原子 (i)砷原子掺人锗晶体 施主能级 施主能级和施主电离能 由于As是一个给出电子的缺陷，故叫施主缺陷，其所在的能级叫施主能级，ED叫施主电离能。 n型(电子型)半导体 含有施主缺陷的半导体称为n型(电子型)半导体 。 (ii) 硼原子掺入锗晶体 空穴电离能和受主能级 EA表示把一个束缚在缺陷上的空穴电离到价带中成为准自由空穴时所需的能量，该能量值也叫空穴电离能。 由于这类置换杂质缺陷具有接受电子的作用，故这种缺陷叫受主缺陷，其所在的能级叫受主能级。 P型半导体 由于空穴电离能EA比禁带宽度Eg小得多，故温度不高时，价带中的电子很容易激发到价带顶上的禁带中 缺陷的空的电子能级上，而在价带中留下能参与导电的准自由空穴。这种主要靠空穴导电的半导体称为P型(空穴型)半导体。 (iii)锂原子掺入锗晶体 (2)在晶体中产生电子与空穴的空位缺陷 (i) 在真空中加热CdS晶体 (ii)在硫蒸汽中加热CdS晶体 (3)离子晶体中掺人杂质原子 当离子晶体中的正离子被比它电价高的正离子取代时，就会有电子被松弛地束缚在杂质原子处。 局域能级 指束缚着电子的缺陷的能量状态，即无论是施主能级还是受主能级，都指它带电子时的能量状态，其位置根据一个电子从这个能级转移到准自由状态时所需要的能量决定，即根据缺陷从带电子的状态转变为不带电子的状态所需要的电子电离能所决定。 (i)二级电离施主D的电子能级 第一电离能(ED1) :：电离出第一个电子所需能量。 第二电离能(ED2) ：电离出第两个电子需要的能量。 二级电离施主D的电子能级 电离过程: 二级电离受主A的电子能级： 电离过程 电离过程: * * 电子和空穴，它们的有效电荷与实际电荷相等，在原子晶体中，由于原子不带电荷，故带电的置换型杂质缺陷的有效电荷与该杂质离子的实际电荷相等 A位空位 B位空位 间隙缺陷： A进入间隙位置 B进入间隙位置 杂质进入间隙位置 C置换A D置换A (iv)电荷平衡 在缺陷反应前后晶体必须保持电中性，即缺陷反应式两边必须具有相同数目的总有效电荷。 MM = Ms + VM 化合物MX形成肖特基缺陷的缺陷方程 MM +XX ? V’M + V.X + MS + XS (c) ZrO2晶体中添加CaO 砷原子掺人锗晶体时形成 置换杂质缺陷 ED表示从缺陷 激发出一个电子所需要的能量. 温度不高时，导带中的电子主要来自杂质。 载流子为电子的半导体为 n型半导体 。 受主能级 载流子为空穴的半导体为P型半导体。 思考：掺人锂原子的锗晶体 是什么型的半导体？ 这两个电子能级位于导带底下接近导带底的位置，故很容易激发到导带中，显然，