CoCrPtNb_CrTi_C 玻璃盘基磁记录介质制备与性.pdfVIP

767 杨晓非等：CoCrPtNb/CrTi/C 玻璃盘基磁记录介质制备与性能 CoCrPtNb/CrTi/C 玻璃盘基磁记录介质制备与性能* ∗ 杨晓非，游 龙，李 震，林更琪，李佐宜 （华中科技大学电子科学与技术系，湖北 武汉 430074 ） 摘 要：采用CoCrPtNb 四元合金作磁记录介质，并 [6,10] CrW、CrAl 和Mo 等取代Cr 做底层 ，以使磁性层 使用多层膜结构C / (CoCrPt)100-xNbx / CrTi / C / Glass 与底层有较好的晶格匹配。为了进一步改善Co 基合 Substrate 制备硬盘磁记录介质。实验结果表明：此种 金磁性层的织构，玻璃盘基加温也通常被运用于磁记 薄膜记录介质，即使在室温下溅射，也可得到高达 录介质制备工艺中[11] 。 240kA/m 的矫顽力；此类薄膜在550℃高温下，经过 为了提高介质性能，本文采用往传统磁性介质 30min 退火后，其矫顽力有较大幅度提高，并在 Nb CoCrPt 中添加Nb, 同时使用C 作籽晶层来阻止玻璃 含量为 2.4%(原子分数) 时达到极大值360kA/m 此时 中的有些物质在溅射时进入底层和磁性层进而污染 剩磁比S=0.90，矫顽力矩形比S*=0.92，从而制成了 薄膜介质，为了更好与磁性层匹配用 CrTi 作底层。 适于高密度或超高密度磁记录使用的薄膜介质。并详 此膜层结构的薄膜在室温下溅射可得到 240kA/m 左 细分析了在室温条件下溅射，此种介质矫顽力与 Nb 右的矫顽力，经过退火处理后，其矫顽力可高达 含量变化的关系；并对退火后介质矫顽力与Nb 含量 360kA/m 。 变化的关系也进行了讨论。 关键词：玻璃盘基；磁记录介质；射频磁控溅射 2 实 验 中图分类号：TM21 文献标识码：A CoCrPtNb/CrTi/C 硬盘记录介质在日本ANELVA 文章编号：1001-9731 （2004 ）增刊 公司生产的SPE-430H 多靶磁控溅射台上制备。采用 1 引 言 玻璃盘基，基板水冷，用复合靶制备薄膜，磁性层成 分由CoCr 合金靶上放置的Co 片和Pt 、Nb 条的多少 钴(Co)基合金作为硬盘记录介质, 已得到广泛研 来调整，底层成分由Cr 靶上放置的Ti 片多少来调整。 究[1~3] 。玻璃盘基由于硬度高、平整性好、热膨胀系 -5 本体真空度低于4 ×10 Pa ，溅射气体使用高纯Ar 气， 数小、很好的抗震性能而被认为是未来高密度和超高 基片与靶间距95mm ，溅射功率100~500W.为防止介 密度硬盘记录介质的理想盘基[4~6] ，但在玻璃盘基上 质氧化，特在CoCrPtNb 薄膜外表层溅射 10~20nm 厚 溅射沉积的硬盘记录介质与其在NiP/Al 盘基上相比 的C 保护层，整个膜层结构为：C(覆盖层)/CoCrPtNb 磁性能有很大不同：一般矫顽力较低和介