替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理研究research on dark .pdfVIP

替代衬底上的碲镉汞长波器件暗电流机理研究 1,2 1 1 1 1 1 1 1 赵真典 ，陈路 ，傅祥良 ，王伟强 ，沈川 ，张彬 ，卜顺栋，王高 ，杨 1 1 凤 ，何力 1- 中国科学院上海技术物理研究所材料与器件中心，上海200083 2- 中国科学院大学，北京 100049 摘要：本文基于暗电流模型，通过变温 I-V 分析长波器件 （截止波长为 9-10 μ m ）的暗电流机理和主导机制。实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺 + 杂异质结构与暗电流成分的相关性。结果表明，对于 B 离子注入的平面结汞空 + 位n -on-p 结构，替代衬底上的碲镉汞 （HgCdTe ）器件零偏阻抗 （R ）在80K 0 以上与碲锌镉（CdZnTe ）基碲镉汞器件结阻抗性能相当。但替代衬底上的 HgCdTe 因结区内较高的位错，使得从 80K 开始缺陷辅助隧穿电流 （Itat ）超过 + 产生复合电流（Ig-r ），成为暗电流的主要成分。与平面 n -on-p 器件相比，采 + 用原位掺杂组分异质结结构 （DLHJ）的p -on-n 台面器件，因吸收层为 n 型， 少子迁移率较低，能够有效抑制器件的扩散电流。80K 下截止波长 9.6μm，中 + 2 心距 30μm，替代衬底上的 p -on-n 台面器件品质参数（R A ）为 38 Ω·cm ， 0 零偏阻抗较 n-on-p 结构的 CdZnTe 基碲镉汞器件高约 15 倍。但替代衬底上的 + p -on-n 台面器件仍受体内缺陷影响，在60K 以下较高的Itat 成为暗电流主导成 + 分，其R A 相比CdZnTe 基n -on-p 的HgCdTe 差了一个数量级。 0 关键词：碲镉汞，红外焦平面，长波，替代衬底，暗电流 Research on Dark Current Mechanism of Long- Wavelength HgCdTe Infrared Detectors on Alternative Substrates 1,2 1 1 1 1 Zhendian Zhao , Lu Chen , Xiangliang Fu , Chuan Shen , Bin Zhang , 1 1 1 1 Shundong Bu , Gao Wang , Feng Yang , Li He 1- Center of Materials and Devices, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China 2- University of Chinese Academy of Sciences, Beijing 100049, China Abstract ：The dark cur