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多孔硅的晶态结构与表征方法 - researchgate
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Crystalline Structures and Characterizations of
Porous Silicon
Article
Source: O I
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6 authors, including:
Xuan Cheng
Xiamen University
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21 9 化 学 进 展 Vol. 21 No. 9
2009 9 PROGRESS IN CHEMISTRY Sep. , 2009
多孔硅的晶态结构与表征方法*
1 2* *
吕京美 程 璇
( 1厦门大学化学化工学院化学系 厦门361005; 2厦门大学材料学院材料科学与工程系
特种先进材料福建省重点实验室 厦门361005)
多孔 的生成过程涉及从完美 单晶逐渐变为不完整晶体, 甚至无定形结构, 其结构变化取决
于制备条件和 基底的掺杂类型与浓度多数研究者利用不同的非原位手段研究多孔 生成过程中晶态结
构的变化, 进一步研究其光致发光性能本文对不同条件下生成的多孔 的晶态结构进行了归纳总结, 比较
了透射电子显微镜X 射线衍射技术及拉曼光谱技术3 种表征方法的特点及其对晶态结构认识的影响, 指出
不同微观表征手段的局限性使得众多的报道结果相差较大最后本文就该领域的发展趋势和急需解决的问
题进行了总结
多孔 晶态结构 微区表征
: O6491; O6137 : A : 1005281X( 2009)
Crystalline Structures and Characterizations of Porous Silicon
1 2* *
Lv Jingmei Cheng Xuan
( 1Department of Chemistry, College of Chemistry and Chemical Engineering, Xiamen University,
Xiamen 361005, China; 2Fujian Key Laboratory of Advanced Materials, Department of Materials Science and
Engineering, College of Materials, Xiamen University, Xiamen 361005, China)
Abstract The formation of porous silicon ( PSi) i
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