高压ZnO厚膜压敏电阻的制备及导电机理分析.pdfVIP

第 l4卷 第 3期 上 海 电 机 学 院 学 报 V0I．14No．3 2011年 JOURNALOFSHANGHAIDIANJIUNIVERSITY 2O11 文章编号 2095 0020(2011)03—0157—06 高压 ZnO厚膜压敏 电阻的制备及导电机理分析 柯 磊 ， 李 桃 (1．上海电机学院 数理教学部，上海 200240； 2．上海金仕达卫宁软件股份有限公司 HIS开发部，上海 200436) 摘 要 ：通过高能球磨、丝网印刷和低温烧结制备 出高压 ZnO厚膜压敏 电阻，并对厚膜试样进 行 了电学性能、物相成分和微观形貌的表征。结果表明：厚膜试样 电位梯度达到3159．4V／ram，漏 电流为 36．4 A，非线性 系数为 l3．1，平均晶粒尺寸为 1．29 m。高能球磨和低温烧结使厚膜试样 的晶粒尺寸大大减小，有效提 高了电位梯度值 。分析 了厚膜压敏 电阻单 晶界体 系的导电机理 ，发现 预击穿区势垒宽度 的增加和单晶界 电压的提高对其非线性性能以及压敏 电压的提升影响明显 ，决 定 了压敏 电阻的电学特性。 关键词 ：厚膜压敏 电阻；电位梯度；导电机理 中图分类号 ：TM 283 文献标志码：A PreparationofHighVoltageZnO—BasedThickFilm Varistorsand ConductiveMechanism Analysis KE Lei ， LITao (1．DepartmentofMathematicsandPhysics，ShanghaiDianjiUniversity，Shanghai200240， China；2．DepartmentofHIS，ShanghaiKingstarW inningSoftwareCo．，Ltd．， Shanghai200436，China) Abstract：HighvohageZnO—basedthickfilm varistorswerepreparedbyhigh—energyballmill— ing，screenprintingandlow—temperaturesintering．Electricalproperties，phasecomposition and microstructureofthethickfilm sampleswereinvestigated．Experimentalresultsshowedthatvolt— agegradientreached3159．4V／ram．Leakagecurrent，nonlinearexponentandaveragegram size were36．4 A，13．1，and1．29 In，respectively．Thenotabledecreaseofgrainsizeafterhigh—en— ergyballmillingandlow—temperaturesinteringisthereasonofvoltagegradientincrease．Thecon— ductivemechanism ofsinglegrainboundarysystem isanalyzed．Theincreaseofbarrierwidthand singlegrainboundaryvoltageinthepre—breakdownregioncanenhancethenonlinearexponentand 收稿 日期 2011—03—14 基金项 目 国家 自然科学基金项 目~I{j／；上海市高校选拔培养优秀青年教师科研专项基金项 目资助(sdj11OlO)； 上海电机学院科研启动经费项 目资助 (11C409) 作者简介 柯 磊(1983一)，男，讲师 ，博士，专业方向为纳米复合材料 ·E—mail：kelei@sdju．edu．cn 158