射频电路理论与技术-Lectrue(固态有源元件2)试卷.ppt

PIN二极管 PIN管管芯结构 N＋层 I层 氧化层 金属 欧姆接触金属 P＋层 N＋层 I层 氧化层 金属 欧姆接触金属 P＋层 平面型结构 台式型结构 2.5.2 特性 由于扩散作用，空穴和电子分别向I层扩散，然后在I层由于复 合作用而消失。同时，在P层和N层靠近I层的边界，分别建立起带负 电和带正电的空间电荷层(耗尽层或接触势垒），其电场阻挡空穴和 电子继续向I层注入。因此I层保持本征不导电状态，PIN管不能导通， 处于高阻状态。 1．直流与低频特性 （1）零偏压下 PIN二极管 （2）PIN管加正向偏压 外加电场方向与势垒电场方向相反，势垒高度将降低，空间电荷层变薄，因而P层和N层的空穴和电子将向I层注入，并在I层中因复合而消失。 I层存在大量的数量相等而符号相反的载流子，出现了“等离子体状态”，也就是导电状态，因此宏观上电流川流不息地流过PIN管，PIN管呈现低阻。外加电压越大，正向电流也越大，电阻是降低的。 （3）PIN管加上反向偏压 外加电场方向与势垒电场方向相同，势垒升高，空间电荷层变宽，其不导电程度比零偏压更甚。 如果偏压是低频的交变电压，只要满足交变电压周期，I层的导电状态完全能够跟随信号周期的变化：正半周导通，负半周 截止。 PIN二极管 PIN管与PN结二极管的特性比较： 在直流和低频偏压下，PIN管同样具有整流特性，这一点与PN结变容管相同。 由于在P层和N层之间插入了一层未掺杂的I层，其耗尽层宽度加宽了，因此PIN管具有更小的结电容，并能承受更高的反向击穿电压，可处理更大的功率； 在反偏压达到一定程度时，I层完全处于耗尽状态，结电容相当于以P+和N+层为极板的平板电容，由于极板间距不会随反偏压增大而再增大了，PIN管可看作是一个恒定电容器件。 PIN二极管 当一个PIN管处在直流（或低频）电压与微波电压共同作用下时，其特性将发生显著的改变。由于此时微波信号周期 ， PIN管I层的导电状态已经来不及跟随微波信号正负变化了。 2．微波特性 （1）PIN管处在直流（或低频）正向偏压下 大幅度微波信号： ①在微波信号正半周期间，加在PIN管上的总偏压处于正向状态， 这时PIN管是导通和低阻的，大幅度的微波电流将流过PIN管。 微波信号频率为 ： PIN二极管 ②当微波信号负半周来临了，由于微波信号幅度很大，这时加 在PIN管上的总偏压处于反向状态。反向电场将从I层中抽出注 入的电荷。 I层仍然储存有大量的注入电荷，仍然处于等离子体状态， 必然呈现低阻，所以PIN管仍然是导通的。 （2）PIN管处在直流（或低频）反向偏压下 由于I层没有了直流注入的电荷，微波信号正半周注入的电荷来不及形成导通，很快又全部被负半周抽出，因此不论微波信号的正负半周加在PIN管上，PIN管都是不能导通的，在整个微波信号周期内呈现高阻状态。 PIN二极管 由此可见，PIN管的导通仅来源于处在直流（或低频） 正向偏压下，这时PIN管类似于一个线性电阻，对于微波 信号正负半周都是导通的；当处在直流（或低频）反向偏 压下，整个微波信号周期内都是不导通的。而且，直流 （或低频）控制电压（电流）可以很小，但能控制很大 的微波功率的通与断，这时PIN管广泛用于微波控制电路 的重要原因之一。 结论 PIN二极管 3．P N管特性 实际PIN管和反向穿通特性 P＋区 区 N＋区 零偏压 反偏压下穿通 如果要PN管在直流（或低频）反向偏压下呈现高阻状态，则反向偏压必须大于穿通电压（-70至-100V），而不是理想PIN管的仅需很小反偏压即可。 PIN二极管 2.5.3 等效电路 1．正偏等效电路 PIN管等效电路 正向偏置下 反向未穿通时 反向穿通时 2．反偏等效电路 Rj本征层电阻（很小）；Cj扩散电容，其容抗在微波频段仍远大于Rj。 未穿通时，分为耗尽层与非耗尽层 耗尽层 非耗尽层 PIN二极管 3．封装等效电路 封装PIN管的正反向等效电路 正向 反向 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * 南京理工大学 电光学院通信工程系 * 南京理工大学