微电子业常见的表面分析技术之一。原理是利用一电子束为.PDFVIP

俄歇电子能谱仪（Auger Electron Spectrometer, AES）为 微电子业常见的表面分析技术之一。原理是利用一电子束为激发源， 使表面原子之内层能阶的电子游离出，原电子位臵则会产生电洞，导 致能量不稳定，此时外层电子会填补产生之电洞，进而释放能量传递 至外层能阶电子，造成接受能量的电子被激发游离，游离的电子即为 Auger 电子。因其具有特定的动能，所以能依据动能的不同来判定 材料表面的元素种类。 适用于一下材料的检测分析： •半导体组件: 缺陷分析、蚀刻／清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物 分析、接口扩散现象分析、封装问题分析等、FIB 组件分析 •显示器组件: 缺陷分析、蚀刻／清洁残余物分析、短路问题分析、接触污染物 分析、接口扩散现象分析等 •磁性储存组件: 定义层、表面元素、接口扩散分析、孔洞缺陷分析、表面污染物 分析、磁头缺陷分析、残余物分析等 •玻璃及陶瓷材料: 表面沉积物分析、清洁污染物分析、晶界分析等 联系电话：132 4299 5938 QQ ：174 6542 112 应用领域编辑 通过正确测定和解释AES 的特征能量、强度、峰位移、谱线形状和 宽度等信息，能直接或间接地获得固体表面的组成、浓度、化学状态 等多种情报。 定性分析 定性分析主要是利用俄歇电子的特征能量值来确定固体表面的元素 组成。能量的确定在积分谱中是指扣除背底后谱峰的最大值，在微分 谱中通常规定负峰对应的能量值。习惯上用微分谱进行定性分析。元 素周期表中由Li 到U 的绝大多数元素和一些典型化合物的俄歇积分 谱和微分谱已汇编成标准AES 手册.因此由测得的俄歇谱来鉴定探测 体积内的元素组成是比较方便的。下图为典型的轻元素俄歇微分谱线 的能量标度和线形。上排是轻元素的KLL 谱，谱线较简单。下排是较 重元素的LMM 谱。可见，随着Z 的增加，俄歇谱线变得复杂并出现 重叠。当表面有较多元素同时存在时，这种重叠现象会增多。如Cr 与O, F、Fe 和Mn ，Cu 和Ni 等。可以采用谱扣除技术进行解决（扣 除相同测试条件下纯元素的谱线）。 在与标准谱进行对照时，除重叠现象外还需注意如下情况： ①由于化学效应或物理因素引起峰位移或谱线形状变化引起的差异； ②由于与大气接触或在测量过程中试样表面被沾污而引起的沾污元 素的峰。 微区分析 状态分析 对元素的结合状态的分析称为状态分析。AES 的状态分析是利用俄歇 峰的化学位移，谱线变化（包括峰的出现或消失），谱线宽度和特征 强度变化等信息。根据这些变化可以推知被测原子的化学结合状态。 一般而言，由AES 解释元素的化学状态比XPS 更困难。实践中往往 需要对多种测试方法的结果进行综合分析后才能作出正确的判断。 深度剖面分析 利用AES 可以得到元素在原子尺度上的深度方向的分布。为此通常 采用惰性气体离子溅射的深度剖面法。由于溅射速率取决于被分析的 元素，离子束的种类、入射角、能量和束流密度等多种因素，溅射速 率数值很难确定，一般经常用溅射时间表示深度变化。 界面分析 用AES 研究元素的界面偏聚时，首先必须暴露界面 （如晶界面，相 界面，颗粒和基体界面等等。一般是利用样品冲断装臵，在超高真空 中使试样沿界面断裂，得到新鲜的清洁断口，然后以尽量短的时间间 隔，对该断口进行俄歇分析。 对于在室温不易沿界面断裂的试样， 可以采用充氢、或液氮冷却等措施。如果还不行，则只能采取金相法 切取横截面，磨平，抛光或适当腐蚀显示组织特征，然后再进行俄歇 图像分析。 定量分析 AES 定量分析的依据是俄歇谱线强度。表示强度的方法有：在微分谱 中一般指正、负两峰间距离，称峰到峰高度，也有人主张用负峰尖和 背底间距离表示强度。 表面污染 测试一纯镍金属被含硫有机溶剂污染后，在600-900℃之间真空加热 前后的俄歇能谱曲线。从中可以看出，硫峰在加热前并不明显，而加 热后显著升高。显然硫的出现不会是来自试样周围的真空，必然是由 于试样本身所污染的硫，它在加热时向表面发生迁移的偏析，从而超 出了加热前表面所含有的平均浓度。 即使在10-9 托的超高真空中，电子束长时间作用也会使试样表面有 碳和氧的污染。上右图是在液氮温度下真空中刚冲断的Ti-6Al-4V 合 金的AES 。表明在新鲜断面上有大量碳，并具有碳化物的线形特征。 下右图是该断面在真空系统中经电子束长时间照射后的AES 。这时碳 峰显示石墨特征的线形。由此可以认为上右图中碳峰起因于碳化物夹 杂或晶界