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- 2017-07-05 发布于湖北
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第3章集成电路中的无源元件
3.1 集成电阻器 3.1 集成电阻器
3.1.1 基区扩散电阻 电阻是基本的元件,在集成工艺技
3.1.2 其他常用的集成电阻器 术中有多种设计与制造电阻的方法,根
3.1.3 MOS集成电路中常用的电阻 据阻值和精度的要求可以选择不同的电
3.2 集成电容器 阻结构和形状。
3.2.1 双极集成电路中常用的集成电容器 集成电路中的电阻分为无源电阻和
3.2.2 MOS集成电路中常用的MOS 电容器 有源电阻。无源电阻通常是采用掺杂半
3.3 互连( 内连线) 导体或合金材料制作的电阻,而有源电
3.3.1 金属膜互连 阻则是将晶体管进行适当的连接和偏
3.3.2 扩散区连线 置,利用晶体管在不同的工作区所表现
3.3.3 多晶硅连线 出来的不同的电阻特性来做电阻。
3.3.4 交叉连线
1 2
3.1.1 基区扩散电阻 制造扩散电阻的掺杂可以是工艺中
众所周知,掺杂半导体具有电阻特性, 的任何热扩散掺杂过程,可以掺N型杂
不同的掺杂浓度具有不同的电阻率,正是 质,也可以是P型杂质,还可以是结构
利用掺杂半导体所具有的电阻特性,可以 性的扩散电阻,例如在两层掺杂区之间
制造电路所需的电阻器。 的中间掺杂层,典型的结构是n-p-n结构
所谓扩散电阻是指采用热扩散掺杂的 中的P型区,这种电阻又称为沟道电
方式构造而成的电阻。这是最常用的电阻
阻。当然,应该选择易于控制浓度误差
之一,工艺简单且兼容性好,缺点是精度
稍差。 的杂质层做电阻,保证扩散电阻的精
度。
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基区扩散电阻是最常用的电阻器
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图3.1
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