大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析-发光学报.pdf

第３８卷　 第２期 发　 光　 学　 报 Ｖｏｌ３８ Ｎｏ２ ２０１７年２月 ＣＨＩＮＥＳＥＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＬＵＭＩＮＥＳＣＥＮＣＥ Ｆｅｂ. ꎬ２０１７ 文章编号:１０００￣７０３２(２０１７)０２￣０１６５￣０５ 大功率半导体激光器可靠性研究和失效分析 ∗ 王文知ꎬ井红旗 ꎬ祁　 琼ꎬ王翠鸾ꎬ倪羽茜ꎬ刘素平ꎬ马骁宇 (中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程研究中心ꎬ北京　 １０００８３) 摘要:对自主研发的９７５ ｎｍ波长的ＣＯＳ封装的大功率半导体单管激光器进行了１０ꎬ１２ꎬ１４ Ａ 的电流步进加 速应力试验ꎬ应用逆幂律模型和指数分布的理论对试验结果进行了分析ꎬ计算出在８ Ａ 的电流下ꎬ器件的平均 寿命为２８９９９ ｈꎮ 研究了器件的失效形式和老化前后的温升、偏振度的变化ꎬ结果表明:失效形式主要有体内 退化、腔面退化、与焊接有关的退化ꎻ老化后的器件的结温上升增多ꎬ偏振度下降１０％左右ꎮ 关　 键　 词:可靠性ꎻ步进加速应力ꎻ指数分布 中图分类号:ＴＮ２４８.４ꎻＴＮ３０６　 　 　 文献标识码:Ａ　 　 　 ＤＯＩ:１０.３７８８/ ｆｇｘ０１６５ Ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙ Ｔｅｓｔ ａｎｄ Ｆａｉｌｕｒｅ Ａｎａｌｙｓｉｓ ｏｆ Ｈｉｇｈ Ｐｏｗｅｒ Ｓｅｍｉｃｏｕｎｄｕｃｔｏｒ Ｌａｓｅｒ ∗ ＷＡＮＧ Ｗｅｎ￣ｚｈｉꎬＪＩＮＧ Ｈｏｎｇ￣ｑｉ ꎬＱＩ ＱｉｏｎｇꎬＷＡＮＧ Ｃｕｉ￣ｌｕａｎꎬＮＩ Ｙｕ￣ｘｉꎬＬＩＵ Ｓｕ￣ｐｉｎｇꎬＭＡ Ｘｉａｏ￣ｙｕ (Ｎａｔｉｏｎａｌ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｅｎｔｅｒｆｏｒ Ｏｐｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃ Ｄｅｖｉｃｅｓꎬ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒꎬＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙ ｏｆ ＳｃｉｅｎｃｅｓꎬＢｅｉｊｉｎｇ １０００８３ꎬＣｈｉｎａ) ∗Ｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇ ＡｕｔｈｏｒꎬＥ￣ｍａｉｌ:ｊｉｎｇｈｑ＠ｓｅｍｉ.ａｃ.ｃｎ Ａｂｓｔｒａｃｔ:Ｔｈｅｃｕｒｒｅｎｔｓｔｅｐａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄｓｔｒｅｓｓｔｅｓｔｓｗｅｒｅｃａｒｒｉｅｄｏｕｔａｔ １０ꎬ１２ꎬ１４ Ａｆｏｒ９７５ ｎｍｈｉｇｈ ｐｏｗｅｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｌａｓｅｒｗｈｉｃｈｉｓｐａｃｋａｇｅｄｗｉｔｈｔｈｅｗａｙ ｏｆ ＣＯＳ. Ｔｈｅｔｅｓｔｒｅｓｕｌｔｓｗｅｒｅａｎａｌｙｚｅｄｂｙ ｕｓｉｎｇ ｔｈｅ ｉｎｖｅｒｓｅ ｐｏｗｅｒ ｌａｗ ｍｏｄｅｌ ａｎｄ ｔｈｅ ｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ ｔｈｅｏｒｙ. Ｔｈｅ ａｖｅｒａｇｅ ｌｉｆｅ ｏｆ ｔｈｅ ｄｅｖｉｃｅ ｉｓ２８９９９ ｈ ｕｎｄｅｒ ｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｏｆ ８ Ａ. Ｔｈｅ ｈｉｇｈ ｐｏｗｅｒ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ ｌａｓｅｒｓ ｆａｉｌｕｒｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｃｈａｎｇｅ ｏｆ ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅ ｒｉｓｅ ａｎｄ ｔｈｅ ｄｅｇｒｅｅ ｏｆ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｂｅｆｏｒｅ ａｎｄ ａｆｔｅｒ ａｇｉｎｇ ｗｅｒｅ ａｌｓｏ ｓｔｕｄｉｅｄ. Ｔｈｅ ｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔｔｈｅｍａｉｎｆａｉｌｕｒｅｉｓｉｎｔｅｒｎａｌｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎꎬｄｅｔｅｒｉｏｒａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｃａｖｉｔｙ ｓｕｒｆａｃｅꎬａｎｄ ｗｅｌｄｉｎｇ ｒｅｌａｔｅｄｄｅｇｒａｄａｔｉｏｎ. Ｔｈｅｊｕｎｃｔｉｏｎｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｏｆ ｄｅｖｉｃｅａｆｔｅｒａｇｉｎｇｉｓｈｉｇｈｅｒꎬａｎｄｔｈｅｄｅｇｒｅｅ ｏｆ ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎ ｄｅｃｒｅａｓｅｓ ａｂｏｕｔ １０％. Ｋｅｙ ｗｏｒｄｓ:ｒｅｌｉａｂｉｌｉｔｙꎻｓｔｅｐ ａｃｃｅｌｅｒａｔｅｄ ｓｔｒｅｓｓꎻｅｘｐｏｎｅｎｔｉａｌ ｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎ