瑞阳微电子.PDF

瑞阳微电子 功率场效应管 Power Mosfet 8A、600V N 沟道增强型场效应管 概述： SVD8N60T\F  SVD8N60T/F N 沟道增强型高压功率MOS 场效应晶体管 采用F-Cell TM 平面高压DMOS 工艺技术制造。先进的工艺 及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越 的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。  该产品可广泛应用于AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器， H PWM 高压 桥 马达驱动。 特点： 8A 600V RDS(on) =0.96 @VGS=10V  ， ， （典型值） Ω  低栅极电荷量  低反向传输电容  开关速度快  提升了dv/dt 能力 命名规则 ： S V D X N E X X X G F-Cell工艺VDMOS产品标识 无卤 1-2 额定电流标识，采用 位数字：例如： 封装外形标识。 例如： 5 8A 10 10A,08 0.8A 代表 ， 代表 代表 T:TO-220;F:TO-220F;M:TO-251D; 沟道极性标识，N 代表N 沟道 MJ:TO251J;D:TO-252;K:TO262 特殊功能、规格标识，通常省略； 额定耐压值，采用两位数字；例如： 例如：E 标识内置了ESD 保护结构 60标识600V，65标识600V 产品规格分类： 产 品 名 称 封 装 形 式 打 印 名 称 材 料 包 装 形 式 SVD8N60T TO-220-3L SVD8N60T 无铅 料管 SVD8N60F TO-220F-3L SVD8N60F 无铅 料管 杭州瑞阳微电子有限公司 TEL:0571-8992-3692 FAX:0571-8992-3693 Http: 第 1 页 共 5 页 瑞阳微电子 功率场效应管 Power Mosfet 极限参数(除非特殊说明，TC=25 ) ℃ 参 数 范 围 参 数 名 称 符 号 单 位 SVD8N60T