电子束直写邻近效应校正技术.PDF

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2017-08-05 发布于天津
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电子束直写邻近效应校正技术

第卷增刊半导体学报 24 VOl. 24 SupplemeHt 年月 2003 5 C~INESE JOURNAL OF SEMICONDUC ORS May 2003 电子束直写邻近效应校正技术 1 2 1 1 1 1 1 陈宝钦任黎明刘明王云翔龙世兵陆晶李泠中国科学院微电子中心北京 (1 100029) 北京大学微电子学系北京 (2 100871) 摘要通过蒙特卡罗模拟方法研究电子散射过程探讨邻近效应产生机理并寻求有效的邻近效应校正途径实验结 : . 果表明邻近效应现象是一种综合效应可以通过优化工艺条件有效地抑制邻近效应的影响使邻近效应校正达到 : 预期的效果. 关键词纳米结构图形电子束直写蒙特卡罗模拟邻近效应校正 : 9 9 9 EEACC : 2550G 9 2570 中图分类号: 305. 7 文献标识码: 文章编号: 0253-4177(2003) 0-0221-05 N A S 束曝光邻近效应的产生机理进行深入研究本文主 . 1 引言要介绍采用电子束曝光蒙特卡罗(MOHte CarlO ) 模拟技术模拟电子束曝光过程研究不同曝光条件对随着我国纳米技术和纳米电子学的蓬勃发展抗蚀剂吸收能量密度的影响获得抗蚀剂吸收能量纳米加工技术的研究越来越重要而电子束曝光技