电容式绝对压力传感器的改进模型及温度特性分析3 - Journal of .PDF

第 26 卷 　第 7 期 半 　导 　体 　学 　报 Vol . 26 　No . 7 2005 年 7 月 C H IN ESE J OU RNAL O F SEM ICONDU C TOR S J uly ,2005 电容式绝对压力传感器的改进模型 及温度特性分析 刘 　娜 　黄庆安 　秦 　明　周闵新 ( 东南大学 M EM S 教育部重点实验室 , 南京 　2 10096) 摘要 : 在传感器敏感膜模型的基础上对电容式绝对压力传感器提出了一种改进模型 ,考虑了由于温度的变化电容 结构空腔中残余气体对传感器性能产生的影响. 结果表明温度的改变会导致残余气体压力的改变 ,进而使传感器 的测量产生一定的温度漂移 , 同时也降低了传感器的灵敏度 ;并由此计算了残余气体存在时 ,传感器测量值的温度 漂移量以及灵敏度的温度系数. 这对于工艺的改进以及后续电路的设计具有指导意义. 关键词 : 电容式绝对压力传感器 ; 改进模型 ; 残余气体 ; 温度漂移 ; 灵敏度 EEACC : 2575 ; 8460 中图分类号 : TN248 　　　文献标识码 : A 　　　文章编号 : 02534 177 (2005) 由键合形成的电容真空腔中残余气体的成分及温度 1 　引言 对其压力的影响[4 ] . 本文研究了电容结构空腔中残余气体的存在导 M EM S 压力传感器主要有压阻式压力传感器 致温度对电容式绝对压力传感器性能的影响. 首先 和电容式压力传感器两种. 由于电阻值受温度影响 建立了传感器敏感膜的理论模型 ,并用有限元工具 较大 ,所以压阻式压力传感器一般存在较大温度漂 AN SYS 进行验证. 然后考虑 电容结构空腔 内残余 移 ,需进行温度补偿 , 国内外对其温度漂移特性的研 气体的存在以及温度改变对残余气体压力的影响 , 究成果较多. 通常认为 , 电容式压力传感器温度特性 对传感器模型进行修正 ,得到了改进模型. 最后分析 较好 ,因而对电容式压力传感器温度漂移的研究较 了传感器的温度漂移 ,并计算了一定残余气体压力 少. 随着 M EM S 技术的进步 ,对电容式压力传感器 下其灵敏度的温度系数 ,为后续信号处理电路的设 性能有了更高的要求. 因此 ,其温度特性开始受到人 计提供了依据. 们的关注. 实验表明 ,环境温度改变后压力传感器的电容 2 　模型 ( ) 值会相应改变 ,主要有以下几方面的原因: 1 硅膜 、 氧化层以及玻璃之间的热膨胀系数失配 ; (2) 杨氏模 电容式硅压力传感器是一个具有可动极板的平 量的负温度特性 ; (3) 电容空腔中残余气体压力的影 板电容结构 ,如图 1 所示. 可动极板为硅或多晶硅 响等. 膜. 当有外部压力作用于薄膜上时 ,薄膜受力弯曲, Bla squez 等人[ 1 ,2 ] 详细研究了由于硅膜 、玻璃的 ( 导致电容两极板的间距变小 ,引起电容值的改变 由 热膨胀系数失配导致温度对传