第三届电化学协会国际半导体技术研讨会（ISTC2004）09 - 所务公开.PDF

第三届美国电化学学会国际半导体技术研讨会 征文通知 （ISTC2004 ） 2004 年9 月15 日—9 月17 日 中国 • 上海。 由美国电气与电子工程师学会 (IEEE) ，日本应用物理学会 (JAP) 国际半导体设备与材料协会 (SEMI) ，上海集成电路行业协会 (SICA) 上海市集成电路研发中心 (ICRD) 联合协办。 由美国电化学学会主办，美国电气与电子工程师学会(IEEE)，日本应用 物理学会(JAP)，国际半导体设备与材料协会(SEMI)，上海集成电路行业协 会(SICA)和上海集成电路研发中心(ICRD) 联合协办第三届电化会学会国 际半导体技术研讨会，旨在为大家提供一个展示和讨论最新的硅半导体技 术以及相关领域发展的论坛。研讨各个方向的制造工艺，材料，器件物理 学，特性以及应用的文章现在还在征集。下面列出了其中一部分的论题。 超大规模集成电路工艺和集成：隔离，掺杂（扩散，离子注入等），氧化， 薄栅，介质，高k 介质，金属栅，硅化物，欧姆接触，激光束处理，快速 退火，界面修复，应力控制，化学汽相沉积，光刻，刻蚀，多层互连，低 k 介质，高级金属化及障碍，化学机械抛光（CMP ）等离子损伤，工艺清 洗（干法和湿法）技术，工艺集成和其他一些工艺技术。 器件物理学，特性，可靠性和失效分析：二极管，电容，物理特性，器件 与互连的可靠性，测试结构晶片级的可靠性，器件和材料的特性，新器件 的失效机理和工艺（包括损伤）。 新器件的结构，器件物理和模型：纳米结构和新器件体系机构，量子器件， 单电子器件，超导体器件，包括模型和模拟。 薄膜材料和器件：无定型硅，薄膜晶体管，平面显示器，有机半导体薄膜 材料和器件。 工艺设备和制造技术：设备的新概念，大面积问题，高产量，低维护，所 有权的费用，制造业造型和高级工艺控制等。 方法学和产量提升：高级设备控制(AEC)/ 高级过程控制(APC), 对于过程 状态和晶片级感测在测量设备上的相关进展，设备级数据的传送和主机交 换，其中反馈和前馈控制是主要问题，工艺产量提升等。 封装技术：片上系统的体系结构和集成，3D 封装技术例如倒装晶片焊接， 晶片层封装和CSP，极高频率封装设计，散热控制，噪音控制，电磁干扰， 电磁兼容，细距多层电子电路 ，光电子混和电路，超级联接，高级多功能 插入式选样和新的有源和无源混合板，微电路模块和微波电路模块，晶片 级焊接和测试，光连接器和金属环，光波导向器，新型陶瓷，有机混合电 路材料，细距封装工艺，装配和设备，新型封装黏合剂，焊接材料和新工 艺及设备，测试以及焊接设备，KGD 。 此次会议为那些工作在半导体的研发，生产和设备领域的人们提供了 内部合作与交流的论坛。还给那些有兴趣于当前最先进的加工技术和生产 局限的人们提供了学习机会。 大会刊物已经计划出版。会议期间公开的论文同时可以投稿给ECS杂志 社，但是投稿时间必须在研讨会发布文章结束之日起以后的 6 个月之内。 新的摘要模板能在ISTC 网站上查阅到（ ） 。文章摘 要可通过ISTC 网站投送，截止时间为2004 年3 月 15 日，ISTC 电子信箱 为istc2004@ 。如果文章予以采纳，请于2004 年7 月1 日之前将 全文发送至ISTC 网站。