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全对称电流反馈IGBT甲乙类功放

维普资讯 ● 陆全根 称 电流反馈 IGBT 甲乙类功放 / 现代分立元件高保真功放大多以互补差放作 输入级构成全对称 电路以取得较低的开环失真 , GT2OD201互补对管 ,其型号中字母和数字意义如 然后辅 大环路 电压负反馈达到较高的综合性能 指标。本文介绍一种新颖的输入级电路与绝缘栅 GT 20 D 101 双极型晶体管 (IGBT)输 出级构成的全对称电路 , 产品编号 在确保较高开环性能的前提下,再通过大环路电 沟道类型:l—N沟道 :2一P沟道 流负反馈而不是电压负反馈达到了优秀的性能指 耐压级别,D为 250V 标和很好的昕音评价。 集 电极 电流 (A) 一 、关于 IGBT BT之简称 本功放采用了一种称为 “绝缘栅双极型晶体 管”(InsulatedGateBipolarTransistors.IGBT)的大功 根据型号可知这是一对 =20A,耐压为 率器件作输出级。它的内部结构示意图和 电极名 25)【v的大功率管,据样本参数 Pc为 l80W,外型 称如图 1。从结构上看 ,它是 由blOS场效应管和双 和管脚排列请见后面的电路 图。 极型晶体管复合而成的大功率管,冈而它的输八 二 、电 路 端具有MOS场效应管的特点,而输出端则具有双 本机特别重视电路的开环性能设计,在此基 极型晶体管的特点,从而使 IGBT兼有高速、高入 础上应用大环路电流负反馈替代传统的电压负反 阻、高耐压、大电流和低饱和压降等诸多优点,虽 馈,以有利于功率带宽、转换速率等指标进一步改 然它原本并不是专为高频应用而开发 ,但也很适 善。为 r便于施加电流负反馈,设计 r一个性能 合作高频功放器件。 优于互补差放的新输八级电路 ,而针对电流负反 馈不利于电源纹波折止的问题,前级电压放大使 用了稳压 Ic供电 为了补偿稳压 IC压降引起的 N沟道 晌 道 电极名称 推动幅变的不足,使用一个具有 一定电压增益的 c c 电流输出级,它 由带有级间局部负反馈的组合电 符 G__栅极 路构成,末级采用具有场效应管输入特性的大功 号 c c 集电极 率晶体管IGBT,提高了电流放大的线性。如欲降 低制作成本,也可用NOSFET功率管代替 IGBT, E__发射极 CJ 可能削波功率稍小些。 结 另外 ,本机输 出功率适中,设计值取 50W 构 __\\] J\ .

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