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全对称电流反馈IGBT甲乙类功放
维普资讯
● 陆全根
称 电流反馈 IGBT 甲乙类功放
/
现代分立元件高保真功放大多以互补差放作
输入级构成全对称 电路以取得较低的开环失真 , GT2OD201互补对管 ,其型号中字母和数字意义如
然后辅 大环路 电压负反馈达到较高的综合性能
指标。本文介绍一种新颖的输入级电路与绝缘栅
GT 20 D 101
双极型晶体管 (IGBT)输 出级构成的全对称电路 ,
产品编号
在确保较高开环性能的前提下,再通过大环路电
沟道类型:l—N沟道 :2一P沟道
流负反馈而不是电压负反馈达到了优秀的性能指
耐压级别,D为 250V
标和很好的昕音评价。
集 电极 电流 (A)
一 、关于 IGBT
BT之简称
本功放采用了一种称为 “绝缘栅双极型晶体
管”(InsulatedGateBipolarTransistors.IGBT)的大功 根据型号可知这是一对 =20A,耐压为
率器件作输出级。它的内部结构示意图和 电极名 25)【v的大功率管,据样本参数 Pc为 l80W,外型
称如图 1。从结构上看 ,它是 由blOS场效应管和双 和管脚排列请见后面的电路 图。
极型晶体管复合而成的大功率管,冈而它的输八 二 、电 路
端具有MOS场效应管的特点,而输出端则具有双 本机特别重视电路的开环性能设计,在此基
极型晶体管的特点,从而使 IGBT兼有高速、高入 础上应用大环路电流负反馈替代传统的电压负反
阻、高耐压、大电流和低饱和压降等诸多优点,虽 馈,以有利于功率带宽、转换速率等指标进一步改
然它原本并不是专为高频应用而开发 ,但也很适 善。为 r便于施加电流负反馈,设计 r一个性能
合作高频功放器件。 优于互补差放的新输八级电路 ,而针对电流负反
馈不利于电源纹波折止的问题,前级电压放大使
用了稳压 Ic供电 为了补偿稳压 IC压降引起的
N沟道 晌 道 电极名称
推动幅变的不足,使用一个具有 一定电压增益的
c c 电流输出级,它 由带有级间局部负反馈的组合电
符 G__栅极 路构成,末级采用具有场效应管输入特性的大功
号 c c 集电极 率晶体管IGBT,提高了电流放大的线性。如欲降
低制作成本,也可用NOSFET功率管代替 IGBT,
E__发射极
CJ 可能削波功率稍小些。
结 另外 ,本机输 出功率适中,设计值取 50W
构 __\\] J\
.
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