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可控硅论文 半导体硅材料自从60年代被广泛应用于各类电子元器件以来，其用量平均大约以每年12～16%的速度增长。半导体硅材料以丰富的资源、优质的特性、日臻完善的工艺以及广泛的用途等综合优势而成为了当代电子工业中应用最多的半导体材料。从目前电子工业的发展来看，尽管有各种新型的半导体材料不断出现，硅是集成电路产业的基础，半导体材料中98％是硅。半导体器件的95%以上是用硅材料制作的，90%以上的大规模集成电路(LSI)、超大规模集成电路(VLSI)、甚大规模集成电路(ULSI)都是制作在高纯优质的硅抛光片和外延片上的。硅片被称作集成电路的核心材料，硅材料产业的发展和集成电路的发展紧密相关。半导体硅材料分为多晶硅、单晶硅、硅外延片以及非晶硅、浇注多晶硅、淀积和溅射非晶硅等。晶闸管又叫可控硅。自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管就是人们常说的普通晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。）耐振、无噪声、因此在很短的时间内引起了国内、外,工、农业生产各部门极大的重视,按其工作原理大致可以分为四类。1.整流:把交流电变为大、小可调的直流电。2.逆变:把直流电变为一定频率的交流电。3.直流开关:作直流回路开关或直流调压。4.交流开关:作交流回路开关或交流调压。按其服务对象来分,可用于工业、农业、国防、交通、运输、矿山、冶金、轻工、化工等部门。在性能上，可控硅不仅具有单向导电性，而且还具有比硅整流元件（俗称“死硅”）更为可贵的可控性。它只有导通和关断两种状态。可控硅能以毫安级电流控制大功率的机电设备，如果超过此频率，因元件开关损耗显著增加，允许通过的平均电流相降低，此时，标称电流应降级使用。可控硅的优点很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍数高达几十万倍；反应极快，在微秒级内开通、关断；无触点运行，无火花、无噪音；效率高，成本低等等。可控硅的弱点：静态及动态的过载能力较差；容易受干扰而误导通。单向可控硅工作原理它的内部结构示意如图1（a）所示。由图1（a）可见，单向可控硅由四层半导体PNPN组成，中间有3个PN结；J,J和J结，由P区引出阳极A，N区引出阴极K，中间的P区引出控制极（或称为门极）与一个NPN型晶体管T组合而成，中间的P层和N层半导体为两个晶体管共用，阳极A相当于T的发射极，阴极K相当于T的发射极，如图2所示。 理解单向可控硅工作原理的关键是了解控制极的作用。 控制极不加电压或加反向电压 当控制极悬空或者控制极与阴极之间加反向电压，即U＜0时，必有I=0.如果在阳极与阴极之间加反向电压，即U＜0,由于T,T的发射结J,J均处于反向偏置，T,T处于截止状态，此时流过单向可控硅中的电流只是J,J结的反向饱和电流，I≈0,单向可控硅处以阻断状态；如果在阳极与阴极之间加正向电压，即U＞0,J结处于反偏状态，由于I=0,T必处于截止状态，此时单向可控硅中的电流只是J结的反向饱和电流，I≈0,单向可控硅仍处于阻断状态。所以，当控制极不加电压或加反向电压时，I=0,单向可控硅处于阻断状态，具有正、反阻断能力。 图2 单向可控硅的工作原理 （a）等效结构；（b）等效电路 （2）控制极加正向电压 当控制极与阴极之间加正向电压，即U＞0时，T的发射结J处于正向偏置， I≠0。如果在阳极与阴极之间加反向电压，即U＜0,由于T的发射结J处于反向偏置，T处于截止状态，所以单向可控硅处于阻断状态，I≈0；如果阳极与阴极之间加正向电压，即U＞0,由于T,T的发射结J,J处于正向偏置，集电结J处于反向偏置，T,T将处于放大状态。I经T放大后，T的集电极电流I=βI, T的集电极电流又是T的基极电流，经T 放大，T集电极电流I=ββI,此电流又流入T 的基极进行放大，如此循环，就形成了很强的正反馈，使T,T 很快进入饱和状态，单向可控硅处于导通状态。单向可控硅导通后，阳极与阴极之间电压U的数值很小，外加电源电压几乎全部降在负载上。 （3）单向可控硅的关断 由以上分析可见，当单向可控硅导通后，T的基极始终有T 的集电极电流I流过，而且I的数值要比开始外加的I大得多，所以即使控制极电压消失，I=0，仍可依靠管子本身的正反馈作用维持导通。所以，一旦单向可控硅导通后，控制极将失去控制作用。单向可控硅导通后，如果想使它重新关断，必须把阳极电流I减小到使其不能维持正反馈，为此，可将阳极断开或在阳极与阴极之间加反向电压。 综上所述：在单向可控硅阳极与阴极间加正向电压的条件下，如果某时刻在控制极与阴极之间加入正向电压，单向可控硅将由阻断状态转为导通状态，称之为触发导通。单向可控硅导通后，控制极将失去控制作用，如果要重新关断单向可控硅，必须使其阳极电流小于一定的值I(称为维持电流)或使阳极与阴极