200710003335-一种ITO薄膜的...-审定授权.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局 *CN101054267B* (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 101054267 B (45)授权公告 日 2010.09.29 (21)申请号 200710003335.9 10 行至第17 页第12 行. (22)申请 日 2007.02.02 审查员 王炜 (73)专利权人 菲迪薄膜科技（广州）有限公司 地址 510000 广东省广州高新技术产业开发 区科学城南云二路6 号 (72)发明人 彭波 韦玮 林群 方发成 高潮 (74)专利代理机构 北京集佳知识产权代理有限 公司 11227 代理人 孙长龙 (51) Int.C l. C03C 17/23 (2006.01) (56)对比文件 JP 特开2006-152203 A,2006.06.15, 权利 要求1-4. JP 特开平6-279755 A,1994.10.04, 说明书 第0011-0021 段. CN 1791646 A,2006.06.21, 权利要求1-29. CN 1334588 A,2002.02.06, 说明书第5 页第 权利要求书 1 页 说明书 3 页 (54) 发明名称 一种ITO 薄膜的制备方法 (57) 摘要 本发明涉及一种新型铟锡氧化物 (ITO) 薄膜 的制备方法。其制备过程是，首先将 15-50nm 的 ITO 纳米颗粒在乙醇中用偶联剂进行表面修饰， 然后再用提拉法或旋涂法将表面修饰的ITO 纳米 颗粒镀在玻璃上，烘干即得到ITO 薄膜。与传统的 ITO 薄膜制备方法相比，该方法无需真空设备、无 需高温、工艺简单，适用于大面积且形状复杂的基 体，对基体无损伤，对ITO 薄膜的大型产业化有非 常重要的作用。 B 7 6 2 4 5 0 1 0 1 N C CN 101054267 B 权 利 要 求 书 1/1 页 1. 一种ITO 薄膜制备方法，其特征在于：首先在一定质量的介质中加入占介质重 5％-30％的ITO 纳米颗粒，得到均匀分散的ITO 溶液；然后在ITO 溶液中按ITO 纳米颗粒 质量加入1％-5％的偶联剂；最后用提拉法或旋涂法将表面修饰的ITO 纳米颗粒涂覆在玻 璃上并在真空干燥箱中50 ～60℃下烘0.5-4 小时，即获得ITO 薄膜。 2. 如权利要求1 所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：在介质中加入ITO 纳米颗粒 后，将溶液超声处理10-30 分钟。 3. 如权利要求1所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：在ITO 溶液中加入偶联剂后， 用超声处理0.5-8 小时。 4. 如权利要求1、2 或3 所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：所述介质为无水乙醇、 四氢呋喃或N- 甲基吡咯烷酮。 5. 根据权利要求1、2 或3 所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：铟锡氧化物纳米颗 粒大小为15-50nm，铟锡氧化物中铟氧化物的含量为80 ～95％。 6. 根据权利要求1、2 或3 所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：所述的偶联剂为硅 烷偶联剂、钛酸酯偶联剂以及铝酸酯偶联剂。 7. 根据权利要求6 所述的ITO 薄膜制备方法，其特征在于：所述硅烷偶联剂为：烷基类 硅烷偶联剂、乙烯基类硅烷偶联剂、氯丙基硅烷偶联剂、含硫类硅烷偶联剂、胺类硅烷偶联 剂、环氧基类硅烷偶联剂、丙烯酰氧基类硅烷偶联剂或烷氧基类硅烷偶联剂；所述钛酸酯偶 联剂为：异丙基烷基苯磺酰钛酸酯、异丙氧基二硬酯酰基聚氧化乙烯钛酸酯、异丙氧基三硬 酯酰基钛