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DMZ6005 耗尽型功率MOS 场效应管 产品特点 耗尽型（常开器件） BVDSS RDS(ON) (Max.) IDSS,min 专有的先进平面技术 坚固的多晶硅栅极的细胞结构 600V 700Ω 12mA 低RDS(ON) 的传导损耗 开关速度快 符合RoHS标准/无铅封装 产品应用 常开器件 固态继电器 线性放大器 逆变器 恒流源 电源电路 电信 订购代码 器件型号 封装形式 标识 DMZ6005 SOT-23 605 极限值 除非另有说明，均指T =25 ℃ A 符号 参数描述 DMZ6005 单位 VDSX 漏极-源极电压[1] 600 V VDGX 漏极-栅极电压[1] 600 V ID 漏极电流连续值 0.020 mA IDM 漏极电流脉冲值[2] 0.081 PD 功耗 0.50 W VGS 栅极-源极电压 ±20 V 焊接温度 TL 300 (距离管壳1.6mm处，10秒) ℃ TJ 和 TSTG 结温和储存温度 -55 to 150 注意：施加的电的或热的应力大于“极限值”表中所列参数值，可能导致器件永久的损坏。 热特性 符号 参数描述 DMZ6005 单位 RθJA 结-环境热阻 250 K/W 2009.09 1/5 DMZ6005 电特性 关断特性 除非另有说明，均指T =25 ℃