近衍射极限高功率锥形半导体激光器.pdfVIP

摘 要 高功率高光束质量的半导体激光器在固体激光器的光泵浦，光纤通 讯系统，材料加工和医疗等领域日益得到广泛的应用，锥形半导体激光 器(即单片集成主振功率放大器)能够获得高功率以及近衍射极限光束质 量的光输出，因而日渐受到人们的重视。本论文首先介绍了锥形半导体 激光器的理论模型，并采用光束传播法对锥形半导体激光器进行了理论 分析，计算了其在不同条件下的输出功率和输出光束的近场、远场分布。 在数值分析的基础上，分析了外延结构对光束质量的影响，以及对锥形 半导体激光器的器件结构进行了设计。制作出锥形半导体激光器，并对 器件特性进行测试，其闽值电流为900mA、斜率效率为0．75W／A、电光 转换效率为30％、水平发散角为3．9。、垂直发散角40。，实验结果表明 锥形半导体激光器具有良好光束质量。 最后讲述了M2因子的测量与计算原理并搭建了远场及近场测量装 置，测量出锥形半导体激光器的M2因子，其最小值为1．1，器件最大连 续输出功率达到了4．5w并获得了连续输出功率达2．5W以上的近衍射极 限光束质量的输出，此时M2因子为13。实验结果表明锥形半导体激光 器是人们期望的高连续功率、高光束质量的器件。 关键词：锥形半导体激光器单片集成主振功率放大器近衍射极限 M2因子光束传播法 ABSTRACT beam semiconductorlaserare more Hi曲powerhigh quality finding andmore asdiode solidstate lasers，fiber applications，suchpumping optical communication and system，matedalprocessing and semiconductorlaserscanobtain neardiffractionbeam hi曲power moreattention it moreand output．SO quality gains theoreticalmodel semiconductorlaserisstatedinthe oftapered dissertation． and of semiconductorlaseriscarried theoretical out analysistapered by beam method(BPM)，the field employingpropagation outputpower，near andfarfieldofthedevicearecalculatedundervariousconditions．Onthe baseofnumerical influenceof structuretobeam analysis，the epitaxial is thedevice of