组成原理4试卷.ppt

内容提要：存储器的分类；半导体存储器的基本结构和主要技术指标；两种RAM芯片的功能特性及芯片的互联技术；存储系统的层次结构的概念；Cache的工作原理以及主存与Cache之间的三种地址映像； 4.1 存储系统的组成 4.2 主存的组织与操作 4.3 存储系统的层次结构 4.4 高速缓冲存储器 4.5 虚拟存储器 4.1 存储系统的组成 4.1.1 存储器的分类 4.1.2 主存 4.1.3 辅存 分类： 半导体存储器的两种典型结构： 双极型晶体管TTL （Transistor-Transistor Logic，晶体管-晶体管逻辑）电路制成的存储 器，特点是速度快、功耗不大，但集成度较低。 单极型存储器是用MOS（Metal-Oxide- Semiconductor，金属氧化物半导体）电路制成 的存储器，特点是集成度高，功耗低，价格便宜。 4.2 主存的组织与操作 4.2.1 半导体存储器的基本结构 4.2.2 存储器中的数据组织 4.2.3 半导体存储器的主要技术指标 4.2.4 半导体存储器芯片的发展 4.2.5 主存储器的组织 4.2.6 多体交叉存储技术 4.2.1 半导体存储器的基本结构 MB（Mamory Bank）：存储体，是存储单元的集 合体。 MAR （Memory Address Register）：存储器地 址寄存器。 MDR（Memory Data Register）：存储器数据寄 存器。 4.2.2 存储器中的数据组织 作为一个整体一次存放或取出内存储器的数据称为“存储字”。 在现代计算机系统中，特别是在微机系统中，内存储器一般都以字节编址，即一个存储地址对应一个8位存储单元。这样一个16位存储字就占了两个连续的8位存储单元。 小数端存放与大数端存放： 前者是：将高字节放在高地址中，相应地低字节 放在低地址中。 后者是：将高字节放在低地址中，相应地低字节 放在高地址中。 4.2.3 半导体存储器的主要技术指标 衡量半导体存储器性能优劣的主要技术指标： 存储容量 存取速度 可靠性 性能/价格比 存储容量： 半导体存储器芯片的存储容量是指存储器可以容纳的二进制信息量。以存储器中存储地址寄存器MAR的编址数与存储字位数的乘积表示。 例如：某存储器芯片的MAR为16位，存储字长为8位，则其存储容量为216×8位=64K×8位。 实际容量与装机容量不同。 存储速度： 存取时间（Access Time）TA：从启动一次存储器操作，到完成该操作所经历的时间。 存储周期（Memory Cycle）TMC：定义为启动两次独立的存储器操作之间所需的最小时间间隔。 通常存储周期TMC略大于存取时间TA。 可靠性和性价比： 存储器的可靠性用MTBF（Mean Time Between Failures，平均故障间隔时间）来衡量，MTBF越长，可靠性越高，内存储器常采用纠错编码技术来延长MTBF以提高可靠性。 4.2.4 半导体存储器芯片的发展 目前用于存储器的材料主要是DDR，其发展为： FPM DRAM：块页式DRAM EDO DRAM：扩展数据输出DRAM SDRAM：同步DRAM DDR SDRAM：双倍数据速率SDRAM。DDR SDRAM允 许在时钟脉冲的上升沿和下降沿分别读出数据， 因而其速度是标准SDRAM的两倍。 DDR2 SDRAM 4.2.5 主存储器的组织 1.静态SRAM 6116: 2048×8 3条控制线：片选信号、 写允许信号和输出允许 信号。 2.动态DRAM 2164:64K×1 2164A的片内有64K个内存单元，有64K个存储地址，每个存储单元存储一位数据，片内要寻址64K个单元，需要16条地址线，为了减少封装引脚，地址线分为两部分——行地址和列地址，芯片的地址引脚只有8条。 3.芯片的互联 用多个RAM芯片互联可以扩大存储容量，构成系统所需的存储器。根据存储系统的容量要求和RAM芯片的容量大小，采用RAM芯片构成计算机存储系统的方法有： 位扩展法 字扩展法 字位扩展法 1.位扩展：64K×1…64K×8 2.字扩展：64K×8…256K×8（注意译码器） 3.字位扩展：256K×1…2M×32 4.2.4 多体交叉存储技术（Interleaved memory technology）： 多体交叉访问存储器是一个多体系统，由多个容量相同的存储体（存储模块）组成，各个存储体各自具有相互独立的数据寄存器、地址寄存器和读写电路，各存储体能并行工作，也能交叉工作。 4.3 存储系统的层次结构 对于存储器，我们的期望—— 大容量，低价格，高速度。 现状：