熔体生长法-直拉法-1资料.ppt

原位掺杂杂质 杂质数量及分布的主要影响因素 原料的杂质种类和含量 杂质的分凝效应k=Cs/CL 杂质的蒸发效应 加入的杂质量 影响原位掺杂杂质的其它因素 保护气的压力，流量 晶体生长参数： 晶体拉速和转速，坩锅转速 坩锅位置 坩锅和系统的杂质沾污 元素element ko 元素element ko 锂lithium 0.01 氮nitrogen 10-7 铜copper 4×10-4 磷phosphous 0.35 金gold 2.5×10-5 砷arsenic 0.3 锌zinc 1×10-5 锑antimony 0.023 氧oxygen 0.5 铋bismuth 7×10-4 硼boron 0.8 硫sulfur 10-5 铝aluminum 0.002 镓gallium 0.008 铟indium 4×10-4 镁manganese 10-5 硅silicon 1 铁iron 8×10-6 锗germanium 0.33 锡tin 0.016 钽tantalum 10-7 常见杂质元素在硅中的分凝系数 分凝系数与元素在硅中固溶度的关系 分凝系数愈接近1，固浓度愈大 分凝系数与杂质分布的关系 K1，杂质含量在尾部高，分凝系数愈小于1，硅锭头尾杂质浓度差别愈大 纵向电阻率的均匀性控制 变速拉晶法 悬浮坩埚法 连续加料法 径向电阻率均匀性的控制 固液交界面平坦度的影响 小平面效应的影响 杂质分布均匀性控制 变速拉晶法 杂质k1，随拉晶，CL增大，要保持CS不变，因k=Cs/CL，要使K值变小 k值随拉速和转速而变；当拉速f很小时，k＝k0；f增大，k也增大 办法：初期较大拉速，随晶体的长大，减小拉速，保持CL与K乘积不变，即CS不变 后果：f太大，晶体易产生缺陷；f太小，生长时间过长 悬浮坩锅法 方法：拉锗单晶，k1杂质，用悬浮坩锅法控制单晶纵向电阻率 大石墨坩锅中放一小石墨坩锅，小坩锅下开一个连通孔，杂质放小坩锅中，大坩锅放纯锗熔体 当锗熔化，大小坩锅的熔体液面同高；借助熔锗的浮力和重力平衡原理，小坩锅就浮于熔体中，这时将杂质掺入小坩锅内，拉晶在小坩锅中 拉晶时，小坩锅熔体减少，液面降低，大坩锅中的纯锗通过连通孔流入，保持内坩锅中熔体体积不变；杂质不易通过小孔流出，杂质总量可看作不变 悬浮坩锅法拉锗示意图 当晶体长得长时，小坩锅杂质量变小，晶体电阻率上升 k较小，晶体生长带走的杂质少，小坩锅熔体中杂质浓度变化缓慢，晶体纵向电阻率均匀 保证70％以上的纵向电阻率是均匀的 连续加料法 普通单晶炉中多加一个装置，在拉出单晶的过程中，不断地熔入与之等量的硅原料，以保证熔硅的量不变；当前连续加料方法主要有液态连续加料和固态连续加料两种方式。 特点： 保持石英坩埚中有恒定的硅熔体，致使硅熔体液面不变而处于稳定状态，减少电阻率的轴向偏析现象，可得到电阻率纵向分布均匀的单晶 可以生长出比较长的单晶硅棒以增加产量，提高了生产效率 可节约大量时间（生长完毕后的降温、开炉、装炉等），一个坩埚可用多次 可降低约40%的生产成本。 固-液界面与径向电阻率均匀性的关系 K1，凸向熔体界面，中间先生长，杂质少，径向电阻率，中间高边缘低；凹向熔体界面则相反；平坦的固－液界面其径向电阻率均匀性较好 获得平坦固－液界面的方法 调整晶体生长热系统，使径向温度梯度变小 调节体晶运行参数，例如对凸向熔体的界面，增加拉速；对凹向熔体的界面，降低拉速。 调整晶体或坩锅的转速-增加晶体转动速度，界面由凸变凹；增加坩埚转动速度，界面由凹变凸 增大坩锅内径与晶体的比值，使固－液界面变平，还使位错密度及氧含量下降；坩埚内径：晶体直径=3~2.5：1 小平面效应对杂质均匀性的影响 小平面：晶体生长时，迅速提起晶体，111的锗，硅单晶的固－液界面出现一小片平整平面，它是(111)原子密排面 小平面上的生长速率大于周围界面的生长速率，有效分凝系数增大，使电阻率降低 与非平面区相比，小平面区电阻率会降低，严重时出现杂质管道芯 Si 杂质 P As Sb Ca In K*/K0 1.07-1.12 1.13-1.35 1.3-1.45 1.26 1.44 Ge 杂质 P As Sb Bi Ca In Tl K*/K0 2.5 1.8 1.45 1.65 0.85 1.4 1.2 InSb 杂质 Zn Cd Ge Si S Se Te Sn P K*/K0 1.3 2.2-2.3 1.4-1.6 1.7 3 3.5-5.4 6.9-8.9 3.7 4 Si，Ge，InSb中杂质的小平面效应 小平面效应的消除 增加拉速，使晶体凝固速度增加，界面趋向平坦，抑制小平面的出现，使电阻率均匀性提高 增加晶体转速，使固液界面从下向上