硅片中FeB、BO复合体测试案例.ppt

硅片中FeB、BO复合体的测试 浙江昱辉阳光能源有限公司 --陈双、祝祯凤 一、背景 二、PV2000原理等简介 三、单晶硅片中FeB、BO复合体测试 四、多晶硅片中FeB、BO复合体测试 五、小结 一、背景 继少子寿命、碳氧含量、电阻率研究之后，FeB、BO复合体也进入大 家的视线，其表征及改善也成为大家比较关注的问题之一。 并且，虽然SIMS和ICP-MS均能测试硅片中各种金属杂质，可是却不 能给出杂质的分布情况。 基于此，研究硅片中杂质的分布情况对表征硅晶体的质量就更加重 要，并在此基础上，研究其对硅片质量的影响并进行改善。 二、PV2000原理等简介 PV2000或硅晶片重金属沾污测试系统，是Semilab SDI公司推 出的测试设备，其原理： 采用表面光电压法（SEMI国际标准-391）测试原理，是用大于半导体禁带宽度 的能量(采用两个激光器照射硅晶片表面），在其内部将产生电子-空穴对。电子- 空穴对向表面扩散，在耗尽层电场的作用下将发生分离，从而产生表面光电压。而 通过扩散长度的测试及其变化，又可计算得到其他参数。 载流子扩散长度是半导体材料或器件的重要电学参数，直接反映的是半导体材 料、器件体内的重金属玷污和缺陷情况，同时也可表征BO复合体的含量。 [Fe][cm-3]= 1.05E16(Lafter-2 - Lbefore-2) Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe Si Si Si Si Si Si Si Si Si Fe B Si Before Dissociation Si After Dissociation (optical) Si Si Si Si Si Fe i Si Si B Si Si Si Si Si Si Si Si B Fe i Si Si Si Si Si Si Light induced dissociation h? ? 1.1eV Fe i B + B Fe i 在P型硅片中，Fe大多以FeB复合体的形式存在，是弱复合中心，见左图。 在能量大于1.1ev的光照下，这种FeB复合体极易打开，且以间隙态存在，这种间隙态是一种强复合中心，见下式： FeB复合体测试原理 FeB键的打开和复合影响硅片的扩散长度，通过测量扩散长度的变化，计算出Fe的含量，计算公式如下： * BO复合体的测试原理 B + O 2i Light induced dissociation h? ? 1.1eV 200oC thermal dissociation EA = 1.38eV BO 2i Lifetime Killers Fe i B + B Fe i 200oC thermal dissociation EA = 1.17eV Light induced association h? ? 1.1eV 同FeB复合体相似，BO复合体的打开或者复合同样会影响扩散长度的变化，利用这种变化来计算BO复合体的浓度。 在硅片中，光照下FeB复合体打开，BO复合体形成；可是在加热条件下， FeB复合体打开，BO复合体也打开(见上)，利用这个差异，避免测试BO时FeB引起的干扰。 图1 晶棒电阻率分布曲线 图2 晶棒FeB、BO分布曲线 硅片编号 1、整根晶棒共取样片105片，电阻率测试取每段硅块的头尾 2、电阻率分布在1-3?*cm之间，与理论计算和我司控制目标相符； 3、Fe分布比较均一，均低于5E10cm-3，头部、尾部含量略高于中部； 4、BO复合体头部较低，靠近尾部区域有个别较高现象，但是基本在3E10cm-3 以下。 三、单晶硅片FeB、BO复合体研究 随机选取公司6寸晶棒，按照正常流程生产后，切片后每间隔约10mm取样片一张； 利用PV2000进行测试。 分析： 1、FeB复合体尾部稍高，与分凝有关，尾部金属杂质含量较高； 2、BO复合体存在尾部稍高现象，与在该条件下，其他一些缺陷也被检测到有关； 3、硅片质量FeB复合体浓度均低于5E10cm-3 ，对少子寿命及电池片质量影响较小； 硅片Fe浓度在10E11cm-3以下，可通过后续的磷吸杂工艺去除，据文献报道，当 [Fe]10E13cm-3时，会影响后续电池工艺(见图3)。 4、BO复合体浓度集中在 1.3-3E10cm-3之间，对后续电池片开路电压影响较小(见图4)。 图3 不同温度下，铁浓度与少子寿命关系图 J. Appl. Phys. 69(5), 3077 图4 开压与BO复合体浓度关系图 A B C D