自由电子论2.pptVIP

* 补充：5.2节中详细计算：仅供参考 Sommerfeld展开式 设函数Q(E)在（-?，+?）上连续可微，Q(0)＝0 ，并且满足条件 ，其中α为大于0的常数。在kBT EF的情况下，有 其中 为F－D分布函数 证明： 考察： 分步积分 (-df/dE)是（E－EF）的偶函数； (-df/dE)的值集中在? E－EF ?? kBT的一小范围内，当 ? E－EF ? 几个 kBT时，函数的值迅速趋于0，具有 类似于?函数的性质。 因此，积分的贡献主要来自E ~ EF附近的区域，由于EF kBT，所以，我们可以将积分的下限由0改为-∞，而并不会影响积分值。 由于(-df/dE)的值集中在E=EF附近，因此，可将Q(E)在E=EF附近展开成Taylor级数。 其中 利用Taylor展开式： Sommerfeld展开式的应用 1. EF的确定 对于金属，由于TF T，所以EF ? EF0 。我们可以定性地分析为什么EF会略低于EF0 。当T 0时，由于TF T，所以电子的分布函数只在费米能附近几个kBT的范围内有变化，而离费米能较远处电子的分布与T=0时相同。在有限温度下， EF0以下能态的占有几率减小，而EF0以上能态的占有几率增大，可以认为， EF0上下电子占有几率的增大和减小 关于EF0是对称的。但是，由于电子的能态密度N(E)随E的增加而增大，即EF0以上的N(E)大于以下的N(E) ，因此，若 EF0 上、下电子能态占有率的增加、减少相同，则 EF0以上要多填一些电子。因此，若保持 EF = EF0 ，那么系统的电子数就要增加，但实际上系统的电子数是一定的，因此，EF必须略低于EF0 。 2. T 0 K时自由电子系统的总能量的计算： 这里 为T=0时自由电子系统的总能量 第二项为T 0时，由于热激发自由电子系统从外界所获得 的能量。 附录：T0 时，系统能量的计算，方法二： （共2页） 补充：费米面处态密度的推导： 这也是一个十分有用的、应当记忆的参数。 一. 自由电子的热容 二. 自由电子的顺磁磁化率 参考：黄昆 书p282-286,p395-399 Kittel 8版6.4节；11.6节 5.1 节中提到：室温下几乎观测不到经典理论预言的自由电子对热容的贡献，因此索末菲自由电子理论能否正确地解释金属热容和顺磁磁化率随温度的变化关系，克服经典电子论的这个困难是它是否成功的考验。 其实从5.2节的描述中已经定性地看到了结果，自由电子服从费米-狄拉克分布，只有位于费米面附近的少数电子才能受到 kBT 的热激发，对热容有贡献，其它大部分电子是不能被激发参与热容贡献的，这就改正了经典理论全部电子都参与贡献的错误判断。 5.3 金属的热容和顺磁磁化率 一. 电子热容量： 5.2 中我们曾讨论了T0K时电子的分布，此时的能量为： 仍利用分部积分和函数 f(E) 的特点求解，可得： 由于正常情况下 所以能量随温度的增加很小。 平均到每个电子的能量为： 自由电子系统的克分子热容为： 即便是在较高温度下，TTF，所以：CeCV。 但在极低温度下，晶格热容下降很快，电子热容反而会显著起来。 所以极低温度下，应有： 实验完全证实了这个关系，测出的 和 b 值都成了标识材料性质的量。 （见3.3节） ~1% 热容温度关系图 金属极低温下热容的变化曲线：存在一个临界温度，此温度 以下，电子热容反而变得比晶格热容更大些。 当Ce=CV时，有： 可确定出此时的温度： 见：Blakemore 书p179 对于简单金属， TD ~ 102 K， TF ~ 104 K，估算出TC ~ 1 K的数量级。所以，在很低温度下，电子热容量与晶格热容量同数量级，这时，电子热容量就不可忽略。 注意：1.上面的运算过程中，都假定每个原子提供一个自由 电子，如果每个原子提供 Z 个电子， 2. 热容的讨论中，有的文献习惯用克分子热容，有的 则习惯使用单位体积热容，公式形式上是相同的， 只是使用 n 或 NA 的差别。 实验结果：K 的热容实验曲线。见Kittel 8版p105 实验点准确的落在直线上充分说明了理论公式的可靠性。 由此确定出： 自由电子模型的计算值 能带论在考虑了晶格势场对自由电子的影响后，可以解释这个差异的来源。 黄昆书p285 摘自 Kittel 8版p105 从上表中可以看到几个过渡族