显示技术进展 铟锡氧化物透明导电薄膜的制程技术及其应用.pptVIP

显示技术进展 Progress in Display Technology liulin@ * * * * * * * * * * * * * * * * * 自从1968年荷兰Philips公司之Boort和Groth在铟化物表面上喷洒氯化锡液体，而得到3 ×10-4Ω．㎝以之低电阻系数的透明导电薄膜后，ITO薄膜之研究就一直被热烈的讨论着。 ITO，铟锡氧化物，这个名词原本应该叫做Tin-doped IndiumOxide，即掺杂锡之铟氧化物。一些人简称它叫Indium Tin Oxide（ITO），使之成为共通语言。 铟锡氧化物（ITO）薄膜，由于其极佳的导电特性（电阻系数可至2 × 10-4Ω．㎝下，约为最佳导体银金属之100倍），及高可见光之透过性及高红外光之反射性，一直是学术界及工业界积极探讨之对象。透明导电薄膜可以应用于许多包括透明加热组件（transparent heating element)、抗静電( anti-static)膜、电磁波防護( electromagnetic-shield )膜、太阳能电池之透明电极、防反光涂佈( anti-reflection)及热反射镜(heat reflecting mirror)等电子、光学及光电装置上。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 目前ITO薄膜主要被使用于液晶显示器（LiquidCrystalDisplay，LCD）之透明导电电极材料上;但由于上述之光学特性。 未来具有被当作省能源用之热线反射膜涂布在门窗之玻璃上。日本为当前世界最大ITO薄膜制造国，其产量随着LCD的成长，已由1985年之100万平方米，增至1991年之1000平方米；未来随着LCD及其他显示器（如electroluminescentdisplay）之持续成长以及热线反射玻璃之应用，其发展潜力及重要性将不容忽视。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 ITO薄膜之优良导电特性主要来自于锡的掺杂( Tin-doping )及氧的空位( oxygen vacancy)两种带电载子( charge carrier)之存在而大幅提升其导电度。ITO薄膜中，铟锡氧化物因锡的掺杂，而使得其晶格中部份位置之铟原子被取代。由于锡之价电子比铟多1，当每个锡取代铟，便可多放出一个电子，因此锡以n-typedonor的方式来提高铟锡氧化物之导电性。氧的空位在ITO薄膜中，因晶格氧的位置没有填补，而使得该键结之两个电子释出形成自由电子，因此氧的空位亦以n-typedonor的方式来提高铟锡氧化物之导电性。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 ITO薄膜之导电度，在少量锡掺杂时，导电度因电荷carrier浓度之增加而增加；但在锡掺杂量加大时，因铟氧化物（In2O3）晶格构造扭曲变大，使得电荷carrier之移动度（mobility）变小而降低导电度。另外，随着氧的空位浓度降低（即带电载子之数量减少），ITO薄膜之导电度亦随之下降。而氧空位之浓度与制程中的许多操作变量，如加热温度有关、加热时间、加热气氛等息息相关。由此可见ITO薄膜之特性，会随着锡掺杂量之多寡及制造程序之条件不同而变。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 ITO薄膜制造法，目前有真空蒸镀法（vacuum evaporation）、溅镀法（sputtering）、化学蒸镀法（chemical vapor deposition）及使用溶胶-凝胶程序之浸渍涂布法（dipcoating）等；虽然目前工业界制造ITO薄膜以溅镀法为主，但溶胶-凝胶程序所制造出来的ITO薄膜之导电度及透明度最佳。另外与溅镀法、化学蒸镀法等方法比较，溶胶-凝胶程序是ITO制造方法中最不需昂贵真空设备﹑操作原理最简单也最可适用涂布大面积或复杂形状基材之薄膜制备法。 附录: 参考数据:实验七 铟锡氧化物导电薄膜溶胶凝胶法制备及鉴定 触控式面板(Touch Panel)技术分析 触控式面板的应用可说是越来越广泛，从早期军方或是一些特殊的应用， 到目前许多地方都采用了触控式面板，　然而，触控式面板有4、5种以上的技術和许多的厂商投入其中，假如有些顾客想采用触控式面板，势必会被五花八门的信息搞的眼花撩乱，不知所措。 图：电阻式触控式面板 附录: 参考数据:.tw/ShowNews.aspx?zCatId=116zNotesDocId=4625A30F4C06FB024825719C005AE3D6 电阻式　电阻式触控屏幕可以说是目前使用量最多的一个技術，电阻式的驱动原理是用电压降的方式来找坐标轴，由上页图可以看出，X轴和Y轴各由一对0～5V的电压来驱动，当电阻式触控