第十章 半导体器件习题课.pptVIP

半导体器件习题－PN结和三极管 　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　田野 3月14日作业 1、讨论影响共射极电流增益的因素； 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管的优越性。 1、讨论影响共射极电流增益的因素 出现在P278表10.3 其中NB、NE为基极、发射极掺杂浓度DB、DE为基极、发射极少子扩散系数、xB、xE为中性基极、发射极宽度，LB为基区少子扩散长度，Jr0、Js0为零偏复合电流和饱和电流密度 1、讨论影响共射极电流增益的因素 1、讨论影响共射极电流增益的因素 爱因斯坦关系： P127表5.2 记住Si材料中T=300K时典型迁移率，表中所给出的是体内的迁移率，提问：体内的迁移率大还是体外的迁移率大？ 1、讨论影响共射极电流增益的因素 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性 《集成电路原理与设计》P66 采用常规SBC结构的双极型晶体管在发展中遇到两个问题：一、纵向尺寸按比例缩小时，当xjE缩小到200nm以下时，xjE小于发射区中少子的扩散长度，这将导致基极电流增大，增益下降；二、基区宽度的减少，又导致穿通现象的发生，解决穿通问题我们一般增加基区的掺杂浓度，但这会引起增益下降。 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性 因此采用多晶硅发射极结构，因为同等掺杂浓度下，其电流增益提高了3~10倍。因此可以保证在同等增益的情况下，提高基区掺杂浓度，克服了穿通现象。 2、比较多晶硅发射极晶体管与扩散晶体管 的优越性 其他优点： 一、采用多晶硅作发射极，离子注入惨杂形成发射区时，粒子打在多晶硅上，避免了硅表面损伤和缺陷的残生，实现了完美注入 二、多晶硅形成良好浅结的同时还形成了欧姆接触和发射极引线 第十章作业 10.1均匀掺杂的n++p+n型双极晶体管，处于热平衡状态。（a）画出其能带图，（b）画出器件中的电场，（c）晶体管处于正向有源区时，重复（a）和（b）。 第十章作业 10.5（a）一个双极晶体管工作于正向有源区，基极电流iB=6.0μA，集电极电流iC=6.0μA。计算β，α和iE。对于iB=50μA，iC=2.65mA，重复（a）。 10. 5 第十章作业 10.8一个均匀掺杂的npn型硅双极晶体管工作于正向有源区，B-C结加反偏电压3V。基区宽度为1.10μm。晶体管的掺杂浓度为NE=1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。（a）T=300K时，B-E结电压为何值时，x=0处的少子浓度是多子浓度的10%？（b）在该偏置下，确定x’=0出的少子浓度。（c）计算中性区宽度。 复习-PN结 PN结是将同种半导体材料的N型和P型两部分紧密结合在一起，在交界处形成一个结，即称为PN结，为实现“紧密接触”一般采用合金法、扩散法、外延生长法和离子注入法 结的两边载流子相差悬殊会发生扩散，形成一个N区为正，P区为负的电偶极层，产生又N区指向P区的自建电场，此电场的作用是阻止载流子进一步相互扩散。 复习-PN结 所产生的电势差称为自建电势差，其作用是对载流子的扩散运动形成势垒，使载流子通过结的净流动为零，达到平衡。这个势垒的存在使整个结构在结区形成能带弯曲，其弯曲高度称为势垒高度，它恰恰补偿了原来两边半导体中费米能级的高度差，使两边达到等高的同意费米能级。 势垒高度 复习-PN结 PN结总电流（肖克莱方程） 肖克莱方程是在理想PN结条件下导出的，它只是揭示了PN结导电性质的基本原理。但实际的PN结与它有差异，主要是因为没有考虑以下效应（1）表面效应（2）势垒区中的载流子产生和复合（3）大注入效应（4）串联电阻效应 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 复习-PN结 第十章作业 10.8一个均匀掺杂的npn型硅双极晶体管工作于正向有源区，B-C结加反偏电压3V。基区宽度为1.10μm。晶体管的掺杂浓度为NE=1017cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。（a）T=300K时，B-E结电压为何值时，x=0处的少子浓度是多子浓度的10%？（b）在该偏置下，确定x’=0出的少子浓度。（c）计算中性区宽度。 10. 8 10. 8 10. 8 10. 8 10. 8 10. 8 复习-肖克莱方程 复习-肖克莱方程 第十章作业 10.34一个均匀掺杂的pnp型硅双极晶体管，其参数为NE=1018cm-3，NB=1016cm-3，NC=1015cm-3。T=300K。冶金结基区宽度为1.2 μm。DB=10cm2/s，?B