模拟电子技术 随堂考03-晶体管放大电路基础(解答与逻辑电路基础).pdf

1. 您用Silicon为材料的半导体设计以下的电路， 请详述右边BJT_1~4的工作状态。 2. 在您的设计中，使用了 E 10V, E 2V D G 以下不同条件的场效管FET_1~4, FET_1 的 V 5V, I 3mA ; GS(off ) DSS FET_2 的 V 3V; FET_3 的 V 4V,I 6mA GS(th) GS(off) DSS FET_4 的 V 2V,I 1.5mA GS(off ) DSS 请详述以下各电路的工作状态。 (1) (2) 3.您使用  50, VBE 0.2V, VCES 0.1V 的三級管, 以及V 5V, V 0.5V的 Z forward 的Zener Diode设计右边的电路，当输入 电压为0V时, 输出电压为多少? 输入电压 为-5V 时, 输出电压又为多少? 请详述。 4. 您使用 IDSS 4mA 的 JFET 设计右边(1)~(4)的电路, 请问输出电压和漏级电流为多少?请详述。 (3) (4) 解题前基础复习 Emitter Collector emitter collector n+ p n + Base base 符号 + 1. VBE Vcut-in( 套路0.5V) : 截止状态(cutoff)  I =I =I =0 B C E 2. VBE Vcut-in 时, B-E 导通  饱和模式(saturation mode) 0 ≤ VCE 0.3V(套路0.2V) 0.6V ≤ VBE ≤ 0.8V(套路0.7V) VCE VBE I I I 由组件特性与电路结构决定 B、 C、 E  放大模式(active mode) V V V ≥ 0.3V  I β x I (套路β =100) BE cut-in CE C B VCE ≥ VBE 仿真电子技术基础(王卫东, 第3版, p73 ~ p76) 思考题与习题2 例题2.21 饱和 i (μA) b iC 临界饱和线 击穿区