电工电子题库-9半导体器件选择题.docVIP

习题 答案 半导体的导电能力(　　　　)。 (a)与导体相同 (b)与绝缘体相同 (c)介乎导体和绝缘体之间 ? (c) ? 当温度升高时，半导体的导电能力将(　　　　)。 (a)增强 (b)减弱 (c)不变 ? (a) ? P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应(　　　　)。 (a)带正电 (b)带负电 (c)不带电 ? (c) ? N型半导体的多数载流子是电子，因此它应(　　　　)。 (a)带负电 (b)带正电 (c)不带电 ? (c) ? 将PN结加适当的正向电压，则空间电荷区将(　　　　)。 (a)变宽 (b)变窄 (c)不变 ? (b) ? 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将(　　　　)。 (a)变窄 (b)变宽 (c)不变 ? (b) ? 在PN结中形成空间电荷区的正、负离子都带电，所以空间电荷区的电阻率(　　　　)。 (a)很高 (b)很低 (c)等于N型或P型半导体的电阻率 ? (a) ? 若将PN结短接，在外电路将(　　　　)。 (a)产生一定量的恒定电流 (b)产生一冲击电流 (c)不产生电流 ? (c) ? 普通半导体二极管是由(　　　　)。 (a)一个PN结组成 (b)两个PN结组成 (c)三个PN结组成 ? (a) ? 半导体二极管的主要特点是具有(　　　　)。 (a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用 ? (b) ? 理想二极管的正向电阻为(　　　　)。 (a)零(b)无穷大 (c)约几千欧 ? (a) ? 理想二极管的反向电阻为(　　　　)。 (a)零 (b)无穷大 (c)约几百千欧 ? (b) ? 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(　　　　)。 (a)正向电压大于PN结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压 ? (a) ? 二极管接在电路中，若测得a、b两端电位如图所示，则二极管工作状态为(　　　　)。 (a)导通(b)截止(c)击穿 ? (a) ? 如果把一个小功率二极管直接同一个电源电压为1.5V、内阻为零的电池实行正向连接，电路如图所示，则后果是该管(　　　　)。 (a)击穿 (b)电流为零 (c)电流正常(d)电流过大使管子烧坏 ? ? (d) ? 电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5V，则电压uO=(　　　　)。 (a)Us(b)US/2(c)零 ? (a) ? 电路如图所示，二极管D、D为理想元件，则在电路中(　　　　)。 (a)D起箝位作用，D起隔离作用 (b)D起隔离作用，D起箝位作用 (c)D、D均起箝位作用 (d)D、D均起隔离作用 ? (b) ? 电路如图所示,所有二极管均为理想元件，则D、D、D的工作状态为(　　　　)。 (a)D导通，D、D截止 (b)D、D截止，D3导通 (c)D、D截止，D导通 (d)D、D、D均截止 ? (a) ? 电路如图所示，二极管D、D为理想元件，判断D、D的工作状态为(　　　　)。(a)D导通，D截止(b)D导通，D导通(c)D截止，D导通(d)D截止，D截止 ? (a) ? 先后用万用表的“R×10”挡和“R×100”挡测量同一只二极管的正向电阻，设两次测量值分别是R和R，则二者相比为(　　　　)。 (a)RR (b)R=R (c)RR ? (c) ? 若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为(　　　　)。 (a)正、反向电阻相等 (b)正向电阻大，反向电阻小 (c)反向电阻比正向电阻大很多倍 (d)正、反向电阻都等于无穷大 ? (c) ? 在同一测试条件下，测得三个同型号二极管的参数如下表所示，其中性能最好的一个二极管是(　　　　)。 序 号 正向电流 （正向电压相同） 反向电流 （反向电压相同） 反向击穿电压 (a) (b) (c) 100mA 100mA 100mA 8 2 6 200V 200V 200V ? ? (b) ? 型号为2CP10的正向硅二极管导通后的正向压降约为(　　　　)。 (a)1V(b)0.2V(c)0.6V ? (c) ? 二极管的死区电压随环境温度的升高而(　　　　)。 (a)增大 (b)不变 (c)减小 ? (c) ? 二极管的反向饱和峰值电流随环境温度的升高而(　　　　)。 (a)增大 (b)减小 (c)不变 ? (a) ? 电路如图所示，二极管D的正向压降为0.6V，反向工作峰值电压URWM=100V，反向峰值电流IRM=10A，电源US=100V，负载电阻RL=10k，则电压uO为(　　　　)。 (a)0.6V(b)10V(c)0.1V ? (c) ? 电路如图所示，设电压表V的内阻为无穷大，R=10k(，二极管D