w 掺杂mos2 三维异质结构的合成及铁磁性研究 - 基地物理 - 兰州大学.pdf

《基地物理》 2016 年第8 期 W 掺杂MoS 三维异质结构的合成及铁磁性研究 2 1 1 2 薛明珠 ，程静 ，王欣鹤 （1. 物理科学与技术学院 12 级物理学基地班，甘肃 兰州 730000；2. 物理科学与技术学 院 12 级微电子班，甘肃 兰州 730000 ） 摘 要： 通过水热法制备了不同含量钨掺杂的二硫化钼三维异质结构，对样品进行了 X 射线衍 射、Raman 光谱测试，证实掺杂之后样品的晶体结构没有发生明显变化。扫描电子显微镜 和透射电子显微镜显示样品具有层状三维异质结构。此外，振动样品磁强计测量结果显示不 同含量钨掺杂的样品均显示铁磁性，并且掺杂钨可以调节样品的饱和磁化强度。 关 键 词：二硫化钼; 铁磁性; 水热合成法; 三维异质结构 1 引 言 近年来，石墨烯的成功制备扭转了人们之前对于二维材料的不能稳定存在的观点，继而 [1] 激发了对二维材料大量的研究。石墨烯是目前世界上最薄也是最坚硬的纳米材料 ；同时 它的电阻率也是最小的，电子迁移速度极快，有望做成更薄、导电速度更快的新一代电子器 件；石墨烯的吸光率只有2.3% [2-3] ，几乎是完全透明的也适合制造透明触摸屏幕、光板等。 但是纯的石墨烯是一种半金属或零能隙半导体，大大限制了石墨烯在电子器件中的应用。 最近，一些层间由弱范德华力连接、能够较易被直接剥离成原子级厚度的二维类石墨烯 材料因其潜在的理论和实际应用价值而受到科学家的广泛关注。其中，过渡金属硫属化合物 MX2 （M=Mo ，W ；X=S ，Se）由于其优异的光电性能而倍受研究者的关注。以MoS2 为例， 此类化合物具有六方晶系层状结构，层与层之间在（001 ）方向上通过弱的范德华力相结合， 每个分子层由S-Mo-S 原子构成三明治结构，S 原子核Mo 原子各自按照六边形对称排列。 因此，MoS2 可以很容易被解理成薄层乃至单层结构。与石墨烯不同，MoS2 是一种天然的半 导体材料，不论是体材料还是单层或是薄层材料，他们都具有禁带宽度。研究结果表明当 MoS2 由体材料减薄到单层时，其禁带宽度会由1.29 变到1.80 eV, 能带结构也由间接带隙变 [4] 为直接带隙，说明单层的MoS2 不仅适合于制作微电子器件，也适合于制作光电子器件 。 [5-6] 此外，层状的MoS2 的发光效率相比块体有很大的提高 。研究者通过第一性原理计算， [7] [8-11] [12] 预言二维MoS2 中存在本征铁磁性 ，并已在实验上得到证实 ，此外薄层的WS2 也被 证实具有室温铁磁性，但对样品磁性调控的研究却不多。其中，掺杂是一种有效地调控手段， 而MoS2 和WS2 具有类似的结构，因此可用W 掺杂MoS2 调控样品铁磁性。 本文通过水热反应的方法制备不同W 含量掺杂的层状MoS ，对其磁学性质进行研究， 2 观察磁学性质随W 掺杂含量的变化。 —————— 基金项目：兰州大学物理基地班创新基金资助项目。 通讯作者：薛明珠（1994－），女，山东省潍坊市人，指导教师为高大强教授。 联系方式：E-mail: xuemzh12@lzu.edu.cn ，Tel: 1 《基地物理》