镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究! - open repository of .pdfVIP

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第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 (; !! ’’* !! , , , XH 2(; WH 2 !! WHYD=5D/ ’’* ( ) !’’’-$*’T’’*T(; !! T);P-’) 8LU8 V:N0.L8 0.W.L8 !’’* LG17 2 VGS6 2 0HE 2 镧铱硅电子结构与成键机理的第一性原理研究! )) )) )) )) ) )) ! ! # ! ! $ ! % 刘君民 孙立忠 陈元平 张凯旺 袁辉球 钟建新 !)(湘潭大学量子工程与微纳能源技术湖南省高校重点实验室,湘潭 !!!’( ) )(湘潭大学材料与光电物理学院,湘潭 !!!’( ) $ )(浙江大学物理系,杭州 $!’’) ) ( 年 月 日收到; 年 月 日收到修改稿) ’’* ! !’ ’’* $ ! 利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,系统研究了镧铱硅( )体系四种异构体的电子结构与成键机 +,-./-01 理 通过对能带结构、态密度的系统分析,发现: 体系的超导属性与该体系中过渡元素 态和 态的 2 +,-./-01 ./-3 01-4 4-3 轨道耦合强度有关 为了定量描述 轨道耦合的强度,采用了分子中的原子方法,针对 体系成键过程中的 2 4-3 +,-./-01 电荷迁移进行了定量的分析,结果表明,超导的转变温度与体系中 原子 中的电荷量成近线性关系 ./ 5,617 2 关键词: ,电子结构,超导属性,第一原理 +,-./-01 : , , !## )!!(8 )$’9 )!’: 理 体系有四种异构体: ( ), 2 +,-./-01 +,./01$ !L Q J) R !J 引

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