2.3晶体中的杂质及缺陷电子态.docVIP

2.3 晶体中的杂质与缺陷电子态 *结构上的缺陷，例如空位，位错等； *夹杂有与理想晶体的组分原子不同的其它外来原子，即所谓的杂质。 容纳这些杂质的晶体主体则称为基质。 杂质原子在基质晶格中可能有不同的几何形态，替位原子，间隙原子。杂质和缺陷的复合体。 缺陷（也包括表面和界面）的存在，使晶体中电子所经受的势场偏离了理想的周期势场，因而会改变电子的运动状态，导致一些与理想晶体能带中的状态不同的能态或能级，特别是可以在禁带中形成某些定域能级。这往往会明显影响晶体的物理性质。 根据定域能级离开带边的远近，分为浅能级和深能级。大体上，浅能级靠近带边，与带边的能量间隔为量级，深能级远离带边，距带边的能量间隔远大于。根据杂质对导电性的影响，分为施主能级和受主能级；根据其发光性质，分为发光中心、电子陷阱和猝灭中心等，不同的杂质能级扮演着各不相同的角色。因而，认识这些杂质和缺陷电子态的行为具有重要意义。人们也设法控制材料中的缺陷和杂质，包括有意的掺杂，来获得满意的材料性质。有意识地对半导体材料进行掺杂和控制材料中的缺陷密度，已成为微电子和光电子材料和器件研制中至关重要的环节。我们将会看到，一些与杂质和缺陷相关的电子态，在固体的光跃迁过程中往往起着十分重要的作用。 缺陷的存在，使电子所感受到的势场发生改变，偏离了理想晶体的周期势场（）。 在能带近似下，薛定谔方程现在变为： （2.3-1