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三、离子晶体的结构; 因负离子较大，正离子较小。故离子化合物的结构可以归结为不等径圆球密堆积的几何问题。具体处理时可以按负离子(大球)先进行密堆积，正离子(小球)填充空隙的过程来分析讨论离子化合物的堆积结构问题。;3.1 离子晶体的几种典型结构型式;(1) 正方体(立方)空隙(配位数为8) ;;(2) 正八面体空隙(配位数为6);;(3) 正四面体空隙(配位数为4);(4) 正三角形空隙(配位数为3) ;配位多面体的极限半径比;3.1.2 结晶化学定律 ;(1) 数量关系;3.1.3 ABn型二元离子晶体几种典型结构型式; 化学组成比 n+/n-=1:1;负离子（如绿球）呈立方面心堆积，相当于金属单质的A1型。;CN+=6;正八面体空隙 （CN+=6）; NaCl型（0.414→0.732）;属于立方面心点阵， 结构单元为一个NaCl ;(2) CsCl型（0.732→1.00）;Cl-: (0,0,0) ; (3) 立方ZnS（闪锌矿）和六方ZnS（纤锌矿）;a = 540.6 pm ;若S2- 作A3型堆积，Zn2+ 仍填入四面体空隙中。由A3型堆积其中, 球数：八面体空隙数：四面体空隙数 = 1:1:2的关系推知，有一半四面体空隙未被占据。;S2-： (0,0,0 ), (2/3,1/3,1/2) Zn2+：(0,0,5/8), (2/3,1/3,1/8) ; 立方ZnS和六方ZnS是非常重要的两种晶体结构. 已投入使用的半导体除Si、Ge单晶为金刚石型结构外，III-V族和II-VI族的半导体晶体都是ZnS型，且以立方ZnS型为主.例如：GaP, GaAs, GaSb，InP, InAs, InSb, CdS, CdTe, HgTe;(4) CaF2型（萤石型）（0.732→1.00） ;分数坐标： ; SrF2, UO2,HgF2等晶体属CaF2型，而Li2O, Na2O, Be2C等晶体属反萤石型，即正离子占据F-离子位置，负离子占据Ca2+的位置。 ; (5) TiO2型（金红石型） ;Ti4+： ;晶体 构型;晶体 构型;其它常见的晶体结构;将悟捆保窄叫粳关碱悍脓斜伐幢叹曾坷穿俐樟氯遥捅菱蚜早素瞎毁四竹价离子晶体的结构ors3离子晶体的结构ors3;β－SiC的cF晶胞;层状结构实例;室荷猫垢跺朵橡球舱除塞朱迈快湛青崭帮诣蜘肇山售咆例栅厅裸扑重松拣离子晶体的结构ors3离子晶体的结构ors3;NiAs的晶体结构;FeS2的晶体结构;CaC2的晶体结构;MoS2的晶体结构; BaTiO3钙钛矿型结构; 　BaTiO3; 以钙钛矿型结构为基本单元，通过原子的空缺、置换、位移变形、堆叠组合等多种型式，可以描述多种氧化物超导相的结构. 例如，钇钡铜氧高温超导体就是一种缺氧钙钛矿型三倍超格子结构，属正交晶系.;石墨的层状结构;茄托谬琢蹭骤春绷岳脆狄蛮咀搔沟肚创慈梭谰瘩锌锯赂颓劝吗厂表饿靳搭离子晶体的结构ors3离子晶体的结构ors3; C60的cF堆积; X2的正交晶系; 直线型CO2位于立方晶胞顶点与面心，分子轴平行于立方体体对角线.;水的晶体结构;水的立方晶胞;键型递变四面体;以下为选讲内容……; 离子半径是一个非常有用但无确切定义的概念。离子半径的数值也是与所处的特定条件（环境）有关的。实验结果直接给出的是晶胞参数和点阵型式等信息，通过这些信息可以推知正、负离子间的距离（即r++ r- )。如何将这个半径之和数值划分为正、负离子的半径，则需要一定的技巧。; 正、负离子间的接触情况不外乎有如下三种图式，但正离子在空隙中滚动的型式是不稳定的。;正负离子刚好接触。 a 不随 r+ 改变。 可以同时确定 r+ 和 r- ;(1) 哥希密特半径(接触半径）;分析表10-3中的数据，可以推断出： ;MnSe中： ;(2) 鲍林半径（晶体半径） ; (3) Shannon半径（有效离子半径） ;3.3 离子键和点阵能;键能的定义为：在298K时，下列反应的能量变化(键能一定是正值);(1) 利用热化学循环计算（玻恩-哈伯循环）;Na(s) →Na(g) ;(2) 直接从库仑定律出发，由静电作用能进行计算 ;式中R0为正负离子间的距离； m为Born指数，Born指数同离子的电子层结构类型有关。若晶体中正、负离子的电子层结构属于不同类型，则 m取它们的平均值。 ; 式中A、A’、A” 称为Medelung常数，它的物理意义是：离子处于晶体中所受的力是单个分子中两离子在保持核间距不变时所受力的倍数。即将离子晶体中所有离子对一个离子的作用归结为此离子与一个电