存储周期-计算机组成原理.PPT

第4章 主存储器 4.1 主存储器概述 4.2 读/写存储器 4.3 非易失性存储器 4.4 DRAM的研制与发展 4.5 半导体存储器的组成与控制 4.6 多体交叉存储器 本章重难点 1、主存的地位，操作（与CPU的连接） 2、RAM存储单元的工作原理 3、存储芯片的内部组成、外部特征 4、半导体存储器的组成 4.1 主存储器概述 一、主存储器处于全机中心地位 现代计算机中主存处于全机中心地位的原因是： (1)当前计算机正在执行的程序和数据(除了暂存于CPU寄存器以外的所有原始数据、中间结果和最后结果)均存放在存储器中。CPU直接从存储器取指令或存取数据。 二、 主存储器分类 存储器的器件和介质的要求: (1)有两个稳定的物理状态； (2)满足一些技术上的要求； 便于与电信号转换，便于读写、速度高、容量大和可靠性高等。 (3) 价格。 目前的计算机都使用半导体存储器。 三、主存储器的主要技术指标 主存储器的主要性能指标为主存容量、存储器存取时间和存储周期时间。 四、主存储器的基本操作 主存储器用来暂时存储CPU正在使用的指令和数据，它和CPU的关系最为密切。主存储器和CPU的连接由总线支持连接形式如图。 2. 地址译码系统 (1)．单译码方式： (2). 双译码方式：（行列译码方式） 下面是使用上述单元组成的 16*1的静态存储器结构图： (2)开关特性 静态存储器的片选、写允许、地址和写入数据在时间配合上有一定要求。描述这些配合要求的参数以及输出传输延迟有很多种。了解这些参数对于正确使用存储器是很重要的。下面介绍这些参数。 (1)三管存储单元和存储器原理 (4)再生(刷新) 原因：DRAM是通过把电荷充积到MOS管的栅极电容或专门的MOS电容中去来实现信息存储的。但是由于电容漏电阻的存在，随着时间的增加，其电荷会逐渐漏掉，从而使存储的信息丢失。为了保证存储信息不遭破坏，必须在电荷漏掉以前就进行充电，以恢复原来的电荷。 定义：把这一充电过程称为再生，或称为刷新。对于DRAM，再生一般应在小于或等于2ms的时间内进行一次。 SRAM则不同，由于SRAM是以双稳态电路为存储单元的，因此它不需要再生。 (5)时序图 DRAM有以下几种工作方式：读工作方式，写工作方式，读—改写工作方式，页面工作方式和再生工作方式。 下面介绍这几种工作方式的时序图，在介绍时序图前，先介绍RAS，CAS与地址Adr的相互关系(图4．10)。 (6)DRAM与SRAM的比较 DRAM的优点: (a)每片存储容量较大；引脚数少。 (b)价格比较便宜。 (c)所需功率大约只有SRAM的1／6。 DRAM作为计算机主存储器的主要元件得到了广泛的应用. 4．3 非易失性半导体存储器 易失性存储器(DRAM和SRAM):当掉电时，所存储的内容立即消失。 非易失性半导体存储器:即使停电，所存储的内容也不会丢失。 根据半导体制造工艺的不同，可分为ROM，PROM，EPROM，E2PROM和Flash Memory。 1．只读存储器(ROM) 掩模式ROM由芯片制造商在制造时写入内容，以后只能读而不能再写入。其基本存储原理是以元件的“有／无”来表示该存储单元的信息(“1”或“0”)，可以用二极管或晶体管作为元件，显而易见，其存储内容是不会改变的。 2．可编程序的只读存储器(PROM) PROM可由用户根据自己的需要来确定ROM中的内容，常见的熔丝式PROM是以熔丝的接通和断开来表示所存的信息为“1”或“0”。刚出厂的产品，其熔丝是全部接通的，使用前，用户根据需要断开某些单元的熔丝(写入)。显而易见，断开后的熔丝是不能再接通了，因此，它是一次性写入的存储器。掉电后不会影响其所存储的内容。 3．可擦可编程序的只读存储器(EPROM) EPROM的基本存储单元由一个管子组成，但管子内多增加了一个浮置栅。 4．可电擦可编程序只读存储器(E2PROM) E2PROM每个存储单元采用两个晶体管。其栅极氧化层比EPROM薄，因此具有电擦除功能。 E2PROM的编程序原理与EPROM相同，但擦除原理完全不同，重复改写的次数有限制(因氧化层被磨损) 。 其读写操作类似于SRAM，但每字节的写入周期要几毫秒，比SRAM长得多。 5．快擦除读写存储器(Flash Memory) Flash Memory是用单管来存储一位信息，用电来擦除,但是它只能擦除整个区或整个器件。在源极上加高压Vpp，控制栅接地，在电场作用下，浮置栅上的电子越过氧化层进入源极区而全部消失，实现整体擦除或分区擦除。 4．4 DRAM的研制与发展