折射率的测定(预)-国立高雄应用科技大学化学工程与材料工程系.DOC

國立高雄應用科技大學 化學工程與材料工程系 物 理 化 學 實 驗 第一組 實驗名稱：折射率的測定(預) 指導教授：吳瑞泰教授 班級：四化材三甲 學生：張瑞新 學號：1100101116 實驗目的 1. 掌握使用阿貝折射儀測定物質折射率的方法 2. 熟悉折射率的定義及其應用 3. 認識折射率與溫度以及濃度的關係 實驗原理 當一束光從一介質進入密度不同之另一個介質內時，由於速度改變其進行方向產生曲折，稱之折射，折射率(refraction index)：n是兩介質中光速的比值，亦可用入射角i與折射角r兩正弦之商表示，即：n=sini/sinr(Snell，s law)實驗利用阿貝折射計來測定折射率，阿貝折射計可直接用來測定液體和固體之折射率，定量分析溶液的組成鑒定液體純度。同時，物質的莫耳折射度、莫耳質量、密度、極性分子的偶極矩等也都可與折射相關聯，因此它也是物質結構研究的重要工具。 在外加電場的作用下，電光晶體的作用，相當於一個波晶片(waveplate)，當線偏振光通過時，可利用輸入電壓V改變其偏振狀態，及正常光(ordinary light)與非正常光(extraordinary light)二者間的相位差。隨外加電場大小而改變，配合其他光學元件，即可改變通過光的強度。 1.電光晶體折射率的空間分佈： （1）晶體的光學性質，可由折射率橢圓方程式X2/nx2+Y2/ny2+Z2/nz2=1，來描述。當外加電場時，不僅造成原主軸上的折射率大小發生變化，且主軸的方向也可能轉動，如此折射率橢球離開了原來的標準位置，需更改成X2/nx12+Y2/ny12+Z2/nz12+2YZ/n42+2XZ/n52+2XY/n62=1來描述。Δ（1/ni2）=ΣrijEj ，rij代表各方向上的電光係數。 （2）假設晶體在某方向上（例如為X軸）有反轉對稱（即有對稱中心），則外加電場Ex，在對稱中心的左方與右方，產生大小相等，方向相反的電光效應（總效應為零），使得此軸上的一次電光係數為零。可知，rij中尚存有哪些不為零的項目，直接與晶體的對稱性質有關。 2.KDP電光晶體的橫向效應： 橫向效應所使用的45°－Z切割晶體，取自KDP自然結晶中的部位與方向。 在Z軸方向上加電場，使該晶體變成電致雙晶軸晶體，因此晶體是45°切割，所以新建立的光軸X`與Y`即是立方體的邊。 現有一平面偏極光，垂直Y`Z平面射入晶體，偏振面與Z軸垂直為45°，當其進入晶體後，因nz≠ny光波將分成Ez與Ey`兩分量，當其通過晶體後，二分量間的相位差為δ＝（2π/λ）l*（nz-ny`）=（2π/λ）l*（ne-n0）+（π/λ）（l/d）*n03r6zV。 上式前項與外加電壓無關，是由KDP自然雙折射效應，所造成的相位移。其後項才是與外加電場成正比的電光效應。因為（ne-n0）項的存在，使相位差δ對溫度極端敏感，故不可單獨使用。 為了減少45°－Z切割KDP晶體，橫向效應中，自然雙折射的延遲現象，該種晶體在使用時，經常成對出現，垂直偏極光與水平偏極光通過此晶體的相位延遲分別為2π*l*（ne+ny`）/λ，2π*l*（ne+nx`）/λ，則垂直偏極光與水平偏極光兩者的相位差2π*l*（nx`-ny`）/λ，δ=（2π/λ）*（l/d）*n03r6zV，如此即可抵銷自然雙折射現象，大大改善了電光調制晶體組的相位差，因溫度而漂移的特性。 由δ的公式可知，利用切割技巧可提高l/d的比值，大幅降低了橫向效應的Vλ/2的驅動電壓。又因外加電場方向恆與入射光方向垂直，晶體又不需要蒸鍍昂貴的透明電極，使得在實用上成本降低很多，故商品化的電光調制器多屬於此種類型。 一次電光效應，經常用來調制光的強度。在外加電場的作用下，電光晶體的作用，相當於一個波晶片，當線偏振光通過時，可利用輸入電壓V改變其偏振狀態，即正常光與非正常光兩者間的相位差。隨外加電壓大小而便，配合其他光電元件，即可改變通過光的強度其系統結構如下圖所示：將450一Z切割之KDP晶體組，放在兩個正交偏振器P1與P2中間，P1的偏振軸與X ’軸夾角450，由左方進入的光，經由P1成為線偏振光，當其通過KDP晶體組後，成為橢圓偏振光，P2將此橢圓偏振光在P2偏振軸上的分量，送入光感知器中，感知器即可將光強度信號轉換成電器信號。 圖2.2 EOM 內部結構示意圖 光強度I與調制電壓V的關係： 設光通過P1後，強度為2A02，當其通過KDP晶體後，依垂直與水平兩振動方向，分成快慢兩個分量，二者間的相位差δ=2π/λ*L/d*n03r6ZV 因Vλ/2=λd/2Ln03r6Z 則δ=Vπ/ Vλ/2。---------(*) (2) 落在檢偏鏡上的兩個光波，波方程式可分別表示如下：EZ＝A0eiwt