基于复合靶溅射制备mg2si 薄膜及其热电性能 - 中国有色金属学报.pdfVIP

第 26 卷第 6 期 中国有色金属学报 2016 年 6 月 Volume 26 Number 6 The Chinese Journal of Nonferrous Metals June 2016 文章编号：1004-0609(2016)-06-1214-08 基于复合靶溅射制备 Mg2Si 薄膜及其热电性能 陈志坚，李建新，周白杨，温翠莲 (福州大学 材料科学与工程学院，福州 350116) 摘 要：采用射频磁控溅射 Mg-Si 二元复合靶制备 Mg Si 热电薄膜，研究溅射功率、真空退火温度及退火时间对 2 其性能的影响，探究较优的 Mg2Si 薄膜制备工艺。利用扫描电子显微镜(SEM)、X 射线衍射仪(XRD)、霍尔效应 测试仪、薄膜 Seebeck 系数测量系统对薄膜特性进行测试。由薄膜断面的能谱分析可知，Mg 、Si 元素在薄膜中分 布均匀，且薄膜中 Mg 与 Si 摩尔比为 2:1 ，与Mg2Si 相的组成摩尔比相符；XRD 测试结果表明，溅射功率、真空 退火温度及退火时间对薄膜的成膜质量均有影响。霍尔效应测试及 Seebeck 系数测量结果表明：所制备的 Mg2Si 薄膜均为 n 型半导体薄膜，其 Seebeck 系数的取值范围为−278.648~−483.562 μV/K ，薄膜电导率的取值范围为 1.240~46.926 S/cm；120 W 溅射功率下沉积的 Mg2Si 薄膜经 400 ℃真空退火保温 3 h 后，获得最大功率因子，其 值为 0.364 mW/(m·K2) 。 关键词：Mg2Si 薄膜；射频磁控溅射；工艺优化；热电性能 中图分类号：TB34 文献标志码：A 热电材料作为一种有效的能实现热能与电能相互 的方法，且低维化后，材料的热电性能得到了较大的 转换的新型功能材料[1−3] ，其制成的热电器件具有无传 改善，然而，磁控溅射法制备 Mg2Si 基热电薄膜的研 动部件、可靠性高、维护简便、无污染等优点，在空 究却鲜见报道。主要是由于制备高质量的 Mg2Si 合金 间特殊电源、工业余废热的回收利用以及固态制冷等 靶存在很大的困难：因为 Mg 、Si 的熔点差异很大， 领域具有广阔的应用前景，成为了国际研究热点之 以及高温下 Mg 的蒸气压和化学活性都很高，在靶材 一[4−6] 。材料的热电性能取决于无量纲的热电优值 的制备过程中，Mg 原子很容易挥发逸散，且容易与 ZT=α2σT/κ(其中，α 为 Seebeck 系数；σ 为电导率；T O 反应生成 MgO ，导致热电性能的下降；其次，Mg Si 2 2 为绝对温度；κ 为热导率；Z=α2σ/κ) ，ZT 值越大，则 固溶体存在严重的晶间碎裂倾向。为此，本文作者选 [7−9] 材料的热电转换效率越高 。 用 Mg-Si 二元复合靶作为射频磁控溅射的靶材来制备 Mg2Si 基热电材料是一类适用于中温区(500~900 Mg2Si 热电薄膜，重点考察溅射功率、真空退火温度 K) 的热电材料，具有无毒、无污染等优点，被誉为环 及退火时间对 Mg2Si 热电薄膜性能的影响，探究较优 境友好型热电材料，其主相元素 Mg 、Si 原料资源丰