项目0 半导体基础知识——二极管概要1.ppt

项目0半导体基础知识 实验——二极管的单向导电性 L L 半导体基础 导体：一般为低价元素，如铜、铁、铝 绝缘体：一般为高价元素（如惰性气体）或高分子物质（如塑料和橡胶）。 半导体：其导电性介于导体和绝缘体之间（如硅和锗以及砷化镓） 半导体的导电特性 (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) 掺杂性：往纯净的半导体中掺入某些杂质，导电能力明显 改变。 光敏性：当受到光照时，导电能力明显变化 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强 (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管等) (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等） 半导体的结构——本征半导体 * 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 共价键中的两个电子，称为价电子。 Si Si Si Si 价电子 完全纯净的、具有晶体结构的半导体，称为本征半导体。 原子结构及共价键 * 掺杂后自由电子数目大量增加，自由电子导电成为主要的导电方式，称为电子半导体或N型半导体。 掺入五价元素 Si Si Si Si p+ 多余电子 磷原子 在常温下即可变为自由电子 失去一个电子变为正离子 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。 1）N型半导体 半导体的结构——杂质半导体 * 掺杂后空穴数目大量增加，空穴导电成为这种半导体的主要导电方式，称为空穴半导体或 P型半导体。 掺入三价元素 Si Si Si Si B– 硼原子 接受一个电子变为负离子 空穴 半导体的结构——杂质半导体 2）P型半导体 PN结的特性 * 形成空间电荷区 1）PN结外加正向电压（正向偏置） * PN 结变窄 P接正、N接负 外电场 IF PN 结加正向电压时，PN结变窄，正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态。 + – 2）PN结外加反向电压（反向偏置） * PN 结变宽 P接负、N接正 外电场 PN 结加反向电压时，PN结变宽，反向电流极小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。 + – IR 半导体二极管 VD 二极管的伏安特性 V A 电压（V） 0 0.3 0.7 1 3 5 8 20 80 正向偏置 反向偏置 二极管的伏安特性 伏安特性 限流电阻 V A 二极管的伏安特性 * 硅管0.5V 锗管0.2V 反向击穿电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压，二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压，二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.7V 锗0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流在 一定电压范围 内保持常数 （很小，?A级） 二极管模型 * 伏安特性的实际，近似与理想情况对比： U I 0 UD 近似特性 U I 0 理想特性 U I 0 A B 伏安特性 硅 正向： OA段（死区）：硅管约0.5V 锗管约0.2V 正向导通：硅管约0.7V 锗管约0.3V 反向：OB段（截止区）：I近似为0 击穿区：管子被击穿 二极管的主要参数 * 1、额定正向平均电流IF :长期使用允许流过二极管的最大正向平均电流。 2、最高反向工作电压URM :是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。 3、最大反向电流IR： 指二极管加UR时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差， IR受温度的影响，温度越高反向电流越大。 以下各参数是选择二极管的依据 4、最高工作频率fM：指二极管允许工作的最高频率，当外加信号频率高于此值时，二极管将失去单向导电性。 特殊二极管 稳压二极管 * 符号 伏安特性 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，在电路中可起稳压作用。 UZ IZmin IZmax ? UZ ? IZ O U I _ + （1）稳压管结构及工作特性