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非简并半导体
§3.1 状 态 密 度 每个允许的能量状态在k空间中与由整数组(nx,ny,nz)决定的一个代表点( kx,ky,kZ )相对应 在k空间中,电子的允许量子态密度是 2×V 一、球形等能面情况 假设导带底在k=0处,且 同理,可推得价带顶状态密度: 二、旋转椭球等能面情况: 由此可知: 状态密度gC(E)和gV(E) 与能量E有抛物线关系,还与 有效质量有关,有效质量大的 能带中的状态密度大。 一、费米(Fermi)分布函数与费米能级 1、费米分布函数 电子遵循费米-狄拉克(Fermi-Dirac)统计分布规律。能量为E的一个独立的电子态被一个电子占据的几率为 2、费米能级EF的意义 二、波尔兹曼(Boltzmann)分布函数 三、空穴的分布函数 服从Boltzmann分布的电子系统 非简并系统 相应的半导体 非简并半导体 本征载流子的产生: 单位体积的电子数n0和空穴数p0: 由下式可知: (1)当材料一定时,n0、p0随EF和T而变化; (2)当温度T一定时, n0×p0仅仅与本征材料相关。 在热平衡态下,半导体是电中性的: n0=p0 (1) 即得到: 一般温度下,Si、Ge、GaAs等本征半导体的EF近似在禁带中央Ei,只有温度较高时,EF才会偏离Ei。 由(5)式可以见到: 1、温度一定时,Eg大的材料,ni小; 2、对同种材料, ni随温度T按指数关系上 升。 一、杂质能级上的电子和空穴 杂质能级 最多只能容纳某个自旋方向的电子。 对于Ge、Si和GaAs: gA=4 gD=2 施主浓度:ND 受主浓度: NA:(1)杂质能级上未离化的载流子浓度nD和pA : 二、n型半导体的载流子浓度 假设只含一种n型杂质。在热平衡条件下,半导体是电中性的: n0=p0+nD+ (7) n型Si中电子浓度n与温度T的关系: 1、杂质离化区 特征:本征激发可以忽略, p0≌0 导带电子主要由电离杂质提供。 (1)低温弱电离区:特征: nD+ 《ND 弱电离 (2)中间弱电离区:本征激发仍略去,随着温度T的增加,nD+已足够大,故直接求解方程(8) (3)强电离区:特征:杂质基本全电离 nD+≌ND电中性条件简化为 n0=ND (18) 这时, 注:强电离与弱电离的区分: 决定杂质全电离 (nD+≧90%ND)的因素: 1、杂质电离能; 2、杂质浓度。 在室温(RT)时,当杂质浓度≧10ni时, nD+≌ND 2、过渡区: 电中性条件: n0=ND+p0 讨论: 显然:n0》p0,这时的过渡区接近于强电离区。 多数载流子(多子) n0 少数载流子(少子) p0 §3.5 一般情况下(即杂质补 偿情况)的载流子统计分布(自学) §3.6 简并(重掺杂)半导体(自学) 1、简并化条件: (1)Ec-EF2k0T 非简并 (2)0 Ec-EF2k0T 弱简并 (3) Ec-EF≤0 简 并 3、杂质带导电 重掺杂效应 非简并半导体 简并半导体 GaAs、Si以及Ge发生简并 时所需的杂质浓度: NA(cm-3) ND(cm-3) Ge 1018 1018 Si 1018 1018 GaAs 1013 1017 特征:(1
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