氮化铝多层膜制备及其声表面波器件性能表征 - 西安科技大学学报.pdfVIP

第３６卷　第６期 西 安 科 技 大 学 学 报 Ｖｏｌ．３６　Ｎｏ６ ２０１６年１１月 ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＸＩ’ＡＮＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＯＦＳＣＩＥＮＣＥＡＮＤＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｎｏｖ２０１６ 　　　　ＤＯＩ：１０．１３８００／ｊ．ｃｎｋｉ．ｘａｋｊｄｘｘｂ．２０１６．０６２３文章编号：１６７２－９３１５（２０１６）０６－０８９９－０５ 氮化铝多层膜制备及其声表面波器件性能表征 庞华锋 （西安科技大学 理学院，陕西 西安７１００５４） 摘　要：采用直流磁控溅射方法，在硅衬底与超纳米晶金刚石衬底上沉积生长了氮化铝（０００２）择 优取向薄膜，研究了不同衬底对氮化铝薄膜应力的影响，并以此氮化铝多层膜为基础通过光刻加 工得到声表面波器件，进而对其声学性能进行了分析。结果表明，在硅基底上沉积的氮化铝薄膜 存在压应力，而在超纳米晶金刚石薄膜上生长的氮化铝薄膜表现出拉应力，这可能是因为界面应 力平衡诱导产生的结果。氮化铝多层膜声表面波器件表现出较强的共振信号，硅衬底上声表面 波器件的频率温度系数为－３８ｐｐｍ／℃，超纳米晶金刚石夹层的引入可有效改善器件的温度稳定 性使频率温度系数减小到－２８ｐｐｍ／℃，同时也显著地提高了机电耦合系数约达０．３％． 关键词：氮化铝多层膜；微观结构；声表面波器件；温度稳定性 中图分类号：Ｏ４８４　　　文献标志码：Ａ ＣｈａｒａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＡｌＮｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｆｉｌｍｓａｎｄｔｈｅｉｒ ａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｏｎｓｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅｄｅｖｉｃｅｓ ＰＡＮＧＨｕａＦｅｎｇ （ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｘｉ’ａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｘｉ’ａｎ７１００５４，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｌＮｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄｆｉｌｍｓｗｉｔｈａｎｄｗｉｔｈｏｕｔａｎｕｌｔｒａｎａｎｏｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅｄｉａｍｏｎｄ（ＵＮＣＤ）ｉｎｔｅｒｌａｙｅｒｗｅｒｅｄｅｐｏｓｉｔｅｄｕ ｓｉｎｇＤＣｒｅａｃｔｉｖｅｍａｇｎｅｔｒｏｎｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇｓｙｓｔｅｍ．Ｔｈｅｓｅｆｉｌｍｓｗｅｒｅｃｈａｒａｃｔｅｒｉｚｅｄａｎｄａｐｐｌｉｅｄｆｏｒｔｈｅｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｓｕｒｆａｃｅａ ｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅ（ＳＡＷ）ｄｅｖｉｃｅｓ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔ（０００２）ｏｒｉｅｎｔｅｄＡｌＮｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄｆｉｌｍｓａｒｅｇｒｏｗｎｗｅｌｌｏｎｔｈｅＳｉａｎｄ ＵＮＣＤｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ．ＴｈｅｃｏｍｐｒｅｓｓｓｔｒｅｓｓｏｆｔｈｅＡｌＮｆｉｌｍｅｘｉｓｔｓｏｎＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅ；ｏｎｔｈｅｃｏｎｔｒａｓｔｅｘｔｅｎｓｉｌｅｓｔｒｅｓｓａｐｐｅａｒｓｉｎｔｈｅ ＡｌＮｆｉｌｍｏｎｔｈｅｓｔｒａｉｎｅｄＵＮＣＤｓｕｂｓｔｒａｔｅｄｕｅｔｏｔｈｅｓｔｒｅｓｓｃｏｕｎｔｅｒｂａｌａｎｃｅａｔｔｈｅｉｎｔｅｒｆａｃｅ．ＴｈｅｏｂｔａｉｎｅｄＡｌＮｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄ ＳＡＷｄｅｖｉｃｅｓｓｈｏｗａｓｔｒｏｎｇｒｅｓｏｎａｎｔｓｉｇｎａｌｗｉｔｈｌａｒｇｅｓｉｄｅｌｏｂｅｓｕｐｐｒｅｓｓｉｏｎ．Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｏｆｆｒｅｑｕｅｎｃｙｉｓ－３８ ｐｐｍ／℃．Ｈｏｗｅｖｅｒ，ｔｈｅｉｎｔｒｏｄｕｃｔｉｏｎｏｆｔｈｅＵＮＣＤｉｎｔｅｒｌａｙｅｒｃａｎｅｆｆｅｃｔｉｖｅｌｙｉｍｐｒｏｖｅｔｈｅｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｔａｂｉｌｉｔｙｏｆｔｈｅＳＡＷ ｄｅｖｉｃｅｓｆｏｒ－２８ｐｐｍ／℃．Ｔｈｅｅｌｅｃｔｒｏｍｅｃｈａｎｉｃａｌｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔｉｓａｌｓｏｉｎｃｒｅａｓｅｄｕｐｔｏ０．３％． Ｋｅｙｗｏｒｄｓ：ＡｌＮｍｕｌｔｉｌａｙｅｒｅｄｆｉｌｍｓ；ｍｉｃｒｏｓｔｒｕｃｔｕｒｅ；ｓｕｒｆａｃｅａｃｏｕｓｔｉｃｗａｖｅｄｅｖｉｃｅｓ；ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｓｔａｂｉｌｉｔｙ 工难度高和成本不菲的特