半导体器件原理Chapter1.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 讨论： 原则上，在适当的边界条件下，方程存在唯一解，但是由于复杂，要进行一定的简化和物理近似，在三种重要情况下可以求解这组连续性方程。 （1）稳态单边注入 （2）表面少数载流子 （3）海恩斯－肖克莱实验 （Haynes－Shockley ） * * （1）稳态单边注入 半无限长边界条件: 扩散长度 有限长边界条件: * * 在x＝W处，过剩的少数载流子全部抽出，方程的解为： 则 x＝W处的电流密度方程可由扩散电流表达式给出： * * （2）表面少子注入 边界条件： 一端存在表面复合，从半导体内流向表面的空穴 电流密度为qUs。表面复合使得表面处的载流子浓度降低，存在空穴浓度梯度，产生扩散电流，其值就等于表面复合电流。稳态时可得连续性方程。 * * （3）Haynes-Shockley实验 局部光脉冲在半导体样品中产生过剩载流子，连续性方程如下: 加外场时： * * Haynes-Shockley 实验：最早演示了少数载流子漂移和扩散的实验装置 * * 非稳态输运效应 大尺寸器件和低频器件：稳态输运