半导体-3.pptVIP

1、uDS ＝0时uGS对导电沟道的影响 N沟道增强型MOS管的特性曲线 * * IE－多子扩散形成的-----电流 IB－复合--------------------电流 IC－非平衡少子漂移-----电流 穿透电流 集电结反向电流 共射直流 电流放大系数 共射交流 电流放大系数 ≈ 回顾 NPN PNP e c b e c b 多子和少子同时参与导电------称双极型晶体管 iB控制iC ------晶体管是电流控制器件 要求发射结正偏集电结反偏 对应一个 iB 就有一条 iC 随 uCE 变化的曲线 输出特性曲线 输入特性曲线 iC 几乎仅仅决定于 iB ；也即由 iB 控制 iC 输入电流 输出电流 晶体管是输入电流控制输出电流，晶体管属于流控器件 判断晶体管工作状态的方法 条 件 电流关系 状态 放大 I C = ? IB 发射结正偏 集电结反偏 饱和 I C ? ? IB 两个结正偏 ICS = ? IBS 集电结零偏 临界 截止 IB = 0, IC = 0 两个结反偏 2、以偏置电压判断导通、截止、放大三种状态 UBE Uon 则导通 以 NPN为 例： UBE Uon 则截止 1. 电流判别法 IB IBS 则饱和 IB IBS 则放大 N沟结型 结构示意图 导电通道 分：N沟、P