半导体中杂质和缺陷能级ec ev 锗硅中浅能级杂质ec ev e 杂质电离能 .pdfVIP

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2017-09-02 发布于天津
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半导体中杂质和缺陷能级ec ev 锗硅中浅能级杂质ec ev e 杂质电离能

 半导体中杂质和缺陷能级 Ec ＋4 ＋4 ＋4 自由电子空穴＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 Ev ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 键外电子空位＋4 ＋5 ＋4 ＋4 ＋3 ＋4 施主受主原子原子＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 锗硅中浅能级杂质＋4 ＋4 ＋4 *施主杂质Nd :向导带提供电子空穴自由电子＋4 ＋4 ＋4 +5 +3 *受主杂质Na:向价带提供空穴＋4 ＋4 ＋4 杂质电离能:挣脱杂质束缚所需能量 ED P As Sb (eV) Ec Si 0.045 0.049 0.039 ED Ge 0.012 0.0127 0.0096 NdNa: n型半导体 EA B Al Ga NaNd : p型半导体 (eV) Na=Nd :本征半导体 Si 0.045 0.057 0.065 E Ge 0.0104 0.0102 0.0108 A Ev 杂质电离能的简单计算＋4 ＋4 ＋4 * 类氢原子模型的计算自由电子空穴氢原子基态电子的电离能: ＋4 ＋4 ＋4 +5 +3 4