【附录a】二极体的原理： 半导体的导电性能介于金属和绝缘体之间 .pdfVIP

【附錄A】二極體的原理： −3 4 半導體的導電性能介於金屬和絕緣體之間，電阻係數約從10 到10 歐姆- 公分。一般是固體 ，例如鍺(Ge) ，矽(Si)和某些化合物等材料。但是鍺(Ge)和矽 (Si)在半導體裝置的研究發展上受到最廣泛的重視。這兩種材料受到重視的原 因很多，其中之一為它們能夠製造成很高的純度。半導體中通常摻雜一些少量 導電物質 ，稱為雜物(impurity) 。這些外來的物質可以增加或減少半導體中的電 子或電洞的平均密度。經由摻雜雜物改變半導體材料特性(導電性)的能力也是 鍺和矽受到重視的另一個原因。它們的特性可經由熱與光的應用而得到重大的 改變 ，這是半導體材料在發展熱敏和光敏裝置時一項重要的考慮。鍺和矽的某 些獨特性質是由它們的原子結構而產生的。現在先研究一下原子本身的結構。 並討論它如何能夠影響材料的電性。原子是由三種基本質點組成的：電子 (electron) ，質子(proton) ，和中子(neutron) 。在原子晶格中，中子和質子構成原 子核(nucleus) ，而電子則在固定的軌道(orbit)上圍繞著原子核運轉。半導體鍺和 矽原子的波耳模型如圖 1 所示 。鍺原子有32 個電子 ，矽則有 14 個 。這兩個原 子的最外層上有四個電子 ，稱為價電子 。在純粹的鍺晶體或矽晶體中 ，這四個 價電子都是被束縛在相鄰四個原子之間如圖2 所示 ，這種由共用電子而形成的 聯繫被稱為共價鍵(covalent bonding) 。這類共價鍵會使得價電子和它們的母原 子之間的聯繫較強些 ，但是價電子仍然能夠由自然原因上吸收足夠的動能而拆 散共價鍵 ，達到自由狀態。這類自然原因中包括光能以及來自周圍介質的熱能 等作用在內 。所以溫度改變時 ，半導體材料中由電子大量的增加 ，自由電子的 增加使電阻降低。在室溫下，每立方公分的本質材料中有約1.5 ×1013 個自由電 子，亦稱為自由載子(carriers) 。半導體材料的電阻是隨著溫度的上升而下降。 圖1 原子結構(a)鍺元素 (b)矽元素 圖2 矽原子的共價鍵 在隔離的原子結構中，對於每個軌道上的電子有它個別的能階。位於各個能 階之間是能隙如圖 3 所示，在隔離原子結構裡能隙中不可能有電子存在。當一 種物質的許多原子被拉近到一起而形成晶格結構時，原子與原子之間的交互作 用使個別能階合併後擴展成能帶如圖4 所示。 要注意的是價帶與傳導帶之間保有一個禁區(forbidden region)或能隙(energy gap- Eg ) 。半導體材料 ，如矽之能隙為 1.1 電子伏(electron volts-eV)以及鍺之能隙 為0.67 電子伏(electron volts-eV) 。請注意絕緣體的能隙是5 電子伏或更大。在絕 對零度下 ，半導體材料中的所有電子全部在價帶中。但在室溫(300K)情形下 ，大 量的電子已獲得足夠的能量(熱能)而進入傳導帶中 ，換言之，電子能夠越過矽的 1.1 電子伏能隙以及鍺的0.67 電子伏能隙。鍺的能隙顯然較低 ，這說明了在室溫 下料中增加的載子數目比矽中的多。但絕緣體中在室溫下幾乎沒有電子能夠獲得 需要的5 電子伏能量，所以這種材料仍然保持為絕緣體。導體即在絕對零溫度時 仍然有電子在傳導帶中。明顯地，在室溫下導體中會有比需要的還要多的自由載 子來形成大量的電荷流動或電流。 若將某些雜物原子加入到相當純的半導體材料中，那麼該半導體材料的電 特性就會發生重大改變。凡是經過這樣摻雜(doping)處理的半導體材料就稱為外 質(extrinsic)材料。有兩種外質材料在半導體元件製造上具有無限的動要性，n 型與p 型。以下將對每一項扼要說明。 圖3 能階：隔離的原子 結構中之個別能階 圖4 能階: