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明月微电子BM7N65 说明书 - 深圳市明月微电子限公司
7A、650V N沟道增强型场效应管-BM7N65
描述
BM7N65 是一款N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用F-Cell平面VDMOS工艺技术制
造而成。先进的工艺以及条状的Cell设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能
及很高的雪崩击穿耐量，提高产品的可靠性。
N 沟道增强型场效应管
MOS 场效应晶体管F- CellTM平面高压VDMOS
主要特点
及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、
l Vds = 650V , ID = 7.0A
能及很高的雪崩击穿耐量。
AC -DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压H 桥 PWM 马达驱动。
n Rds(on) 1.1Ω @Vgs -10V
，RDS(on)(典型值)=1.1Ω@VGS=10V
l 低栅极电荷量，开关速度快；
l 低反向传输电容，提升了的dv/dt;
dv/dt 能力
(除非特殊说明，T =25°C)
C
l 封装形式:TO-220/200F, TO-252/251/263。
参数范围
应用领域
参 数 符 号 SVF7N SVF7N SVF7N SVF7N 单位
65CF 65CD 65CMJ 65CK/S
l AC －DC开关电源，DC －DC电源转换器;
VDS 650 V
VGS ±30 V
l 负载开关，高压H桥的PWM马达驱动 ；
TC = 25°C 7.0
ID A
T = 100°C 4.0
产品规格分类
C
IDM 28.0 A
产品名称 封装形式 打印标示 材料 包装形式
T =25°C ） 46 89 90 120 W
C
PD
°C 每摄氏度减少 0.37 0.71 0.72 0.96 W/°C
1） EAS 435 mJ
TJ -55～+150 °C
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