功率集成与035微米BCD工艺研究.pdfVIP

摘要 摘 要 BCD技术是功率集成的最重要的技术。第一代BCD技术是20多年前由ST公 司丌发出来的。其特点是将硅平面工艺应用的功率集成上，将控制部分(模拟的 和数字的)与作为输出的功率器件整合在一起。BCD技术经过二十多年的发展， 产生了三个分支，即高压BCD技术，高功率BCD技术和高密度BCD技术。其各自 有自己的应用领域，工艺上也各有自己的特点。在过去的二十多年中，BCD技术 主要被国外几家知名的IDM公司垄断。本论文结合本人在华虹NEC带领团队开发 BCD工艺技术的经验，将重点介绍属于高功率BCD技术的O．35微米BCD技术的 技术难点和本人在对这些技术难点所做的工作。通过器件仿真工具，以较低工艺 成本，使得BCD工艺中核心器件LDMOS在满足一定击穿电压的基础上尽可能降低 比导通电阻，得到高性能的具有竞争力的LDMOS器件；同时明确提出优化器件电 场分布，实现高压LDMOS器件安全工作区优化设计和器件可靠性优化设计，提高 高压功率LDMOS高的耐受ESD冲击的能力和高的DV／DT丌关能力。该工艺平台以 模块化的工艺设计方法，实现工艺器件的模块化，方便客户根据自己的需要从复 杂的工艺平台中选择自己需要的