硅芯片封装中改善芯片崩裂的划片工艺-苏州职业大学学报-苏州市.PDF

第22卷 第1期 苏州市职业大学学报 Vol .22 ,No .1 2011年3月 Journal of Suzhou Vocational University Mar . ,2011 硅芯片封装中改善芯片崩裂的划片工艺 庞 零 (苏州大学 电子信息学院，江苏 苏州 215104) 摘 要： 对崩裂产生的原 因及其机理进行分析 ,确定划片站发生崩裂的根本原 因,并针对老型号 的切割刀无法适用于新的窄切割槽产品的问题 ,研 究并分析 了一种新型切割刀.通过对比实验 ,确 定此新型切割刀在切割新产品时所需要的参数,以最终减少崩裂现 象的发生. 关键词：硅芯片；崩裂；划片；切割刀 中图分类号：TN305 .1 文献标志码：A 文章编号：1008-5475(2011)01-0036-04 Improvement of Dicing Process of Silicon Chip for Precaution Against its Disintegration in Package PANG Ling (College of Electronics and Information，Suzhou University, Suzhou 215021, China) Abstract :The paper analyses the reason and mechanism of disintegration of silicon chips. It is ascertained that the dicing process is responsible for disintegration as the old model of dicing blade is not fit for new products with narrow kerf. Thus a new type of blade is proposed. Comparative experiment gets the correct parameter for the new blade dicing new products, which eventually reduces disintegration. Key words : silicon chip ; disintegration ; dicing ; blade 崩裂是半导体后道制造过程中产生的一种失效模式.随着集成电路向小型化和高集成度发展 ，对晶 圆的厚度以及裸晶的尺寸要求也越来越小 ，这对集成电路封装中的一些工艺带来很大的挑战. 1 问题产生的背景 1.1 数据分析 在导入一种新产品(T0 10 16) 时，发现在老化测试(Burn In)过程 中，有大量的芯片在TBL和BE2这两 项测试项 目上fail .TBL是在常温测试条件下，对Op en/ Short和简单功能测试 ，主要抓取芯片由大型封装 问题而引起的失效 ;而BE2是在高温测试条件下，对详细复杂的功能测试 ，主要抓取芯片由小型/ 细小封 装问题而引起的失效 .这2个项 目fail 的dppm 与同期其他产品(T0 10 15)相比较，要高很多. 1) 老化测试 .T0 10 16 的TBL和BE2 的PPM水平 ，总和的平均数大约在9 000 dppm ，而同期T0 10 15 的 则为1 400 dppm左右 . 2) TBL 、BE2 的数据对 比.TBL :T0 10 16约6 800 dppm ，而T0 10 15则为1 000 dppm ;BE2 :T0 10 16 收稿日期：2010-12-06; 修回日期：2011-01-02 作者简介：庞 零(1985-),男,江苏苏州人,