砷化镓半导体材料.ppt

GaAs半导体材料 1、GaAs材料的性质和太阳电池 1.1 GaAs的基本性质 1.2 GaAs太阳电池 2、 GaAs单晶体材料 2.1 布里奇曼法制备GaAs单晶 2.2 液封直拉法制备GaAs单晶 3、 GaAs薄膜单晶材料 3.1 液相外延制备GaAs薄膜单晶 3.2 金属-有机化学气相沉积外延 3.3 Si、Ge衬底上外延制备GaAs薄膜材料 1、 GaAs材料的性质和太阳电池 1.1 GaAs材料的性质 GaAs材料是一种典型的Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料。1952年，H.Welker首先提出了GaAs的半导体性质，随后人们在GaAs材料制备、电子器件、太阳电池等领域开展了深入研究。 1962年成功研制出了GaAs半导体激光器，1963年又发现了耿氏效应，使得GaAs的研究和应用日益广泛，已经成为目前生产工艺最成熟、应用最广泛的化合物半导体材料，它不仅是仅次于硅材料的微电子材料，而且是主要的光电子材料之一，在太阳电池领域也有一定的应用。 GaAs的原子结构是闪锌矿结构，由Ga原子组成的面心立方体结构和由As原子组成的面心立方体结构沿对角线方向移动1/4间距套构而成的。Ga原子和As原子之间主要是共价键，也有部分离子键。 GaAs在室温条件下呈现暗灰色，有金属光泽，相对分子质量为144.64；在空气或水蒸气中能稳定存在；但在空气中，高温600℃条件下可以发生氧化反应，高温800℃以上可以产生化学离解；常温下，化学性质也很稳定，不溶于盐酸，但可溶于硝酸和王水。 GaAs材料本身为直接带隙半导体，其禁带宽度为1.43ev，作为太阳电池材料， GaAs具有良好的光吸收系数， 在波长0.85μm以下，GaAs的光吸收系数急剧升高，达到104/cm，比硅材料要高1个数量级，而这正是太阳光谱中最强的部分。因此，对于GaAs太阳电池而言，只要厚度达到3μm，就可以吸收太阳光谱中的95%的能量。 由于GaAs材料的尽带宽度为1.43ev，光谱响应特性好，因此太阳光电转换理论效率相对较高。 1.2 GaAs太阳电池 早在1956年，GaAs太阳电池就已经被研制。20世纪60年代，同质结GaAs太阳电池的制备和性能研究开始发展，一般采用同质结p-GaAs/n-GaAs太阳电池，由于GaAs衬底表面复合速率大于106cm/s，入射光在近表面处产生的光生载流子出一部分流向n-GaAs区提供光生电流外，其余则流向表面产生表面复合电流损失，使同质结GaAs太阳电池的光电转换效率较低。 与硅电池相比，GaAs电池具有几个显著特点： 1）具有最佳禁带宽度1.43ev，具有高的光电转换效率 2）温度系数低，可在高温条件下工作 3）可采用薄膜层结构 4）较高的电子迁移率使得相同掺杂浓度情况下，材料的电阻率比Si的电阻率小，因此有电池体电阻引起的功率消耗较小 3.1 GaAs薄膜单晶材料 虽然GaAs体单晶通过扩散S、Zn等杂质，可以形成p-n结，制备单晶体的GaAs太阳电池，但是其效率低、成本高，人们更多的是利用GaAs薄膜单晶材料制备太阳电池，以便获得高质量的GaAs单晶薄膜，提高太阳电池效率，相对的降低生产成本。 GaAs的外延包括同质外延和异质外延两种，如GaAs/ GaAs何GaAlAs/ GaAs结构。通常GaAs单晶外延薄膜可以采用液相外延（LPE）、金属-有机化学气相沉积外延（MOCVD）和分子束外延技术，对于太阳电池用GaAs，考虑到性能价格比和相应三元化合物半导体材料的制备。前两者得到了更广泛的应用。 3.2 液相外延制备GaAs薄膜单晶 液相外延技术是1963年提出的，并应用于GaAs等化合物半导体薄膜材料方面，其原理是利用过饱和溶液中的溶质在衬底上析出制备外延薄膜。 其外延薄膜层的质量受到外延溶液的过饱和度、表面成核过程的生长机理、溶液组分梯度和温度梯度引起的对流等因素的影响。 一般而言，生长溶液的厚度对外延薄膜的表面状态和厚度有较大的影响，因此采用薄层溶液有利于提高溶质的饱和度和均匀性，有利于抑制溶液对流和生长优质薄膜。 GaAs液相外延就是将GaAs溶解在Ga的饱和溶液中，然后覆盖在衬底表面，随着温度的缓慢降低，析出的GaAs原子沉积在衬底表面，逐渐生长成GaAs的单晶层，其